書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：GaN 和 SiC 晶體管的區(qū)別

編號(hào)：JFKJ-21-008

作者：炬豐科技

??幾十年來(lái)，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況正在逐漸改變。已開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，化合物半導(dǎo)體給了我們發(fā)光二極管（LED）。一種是由砷化鎵 (GaAs) 和砷化鎵和磷 (GaAsP) 的混合物組成。其他人使用銦和磷。

??問(wèn)題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。然而，與硅相比，它們具有顯著的優(yōu)勢(shì)。汽車電氣系統(tǒng)和電動(dòng)汽車?(EV) 等要求更高的新應(yīng)用發(fā)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體能更好地滿足其嚴(yán)格的規(guī)范。

??作為解決方案出現(xiàn)的此類化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵?(GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率晶體管。GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但也有顯著差異。本文比較了兩者并提供了一些事實(shí)，以幫助您為下一個(gè)設(shè)計(jì)做出決定。

寬帶隙半導(dǎo)體??略

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GaN 和 SiC 晶體管正變得容易獲得，以應(yīng)對(duì)汽車電氣設(shè)備的挑戰(zhàn)。GaN 和 SiC 器件的主要優(yōu)點(diǎn)是這些優(yōu)勢(shì)：

·?具有 650、900 和 1200 V 器件的高壓能力；

·?更快的切換速度；

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??略

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