• ASML 的發(fā)展歷程

ASML難以撼動的行業(yè)地位并非一就而就，其最早是1984年飛利浦因?yàn)榻?jīng)營危機(jī)放棄非核心業(yè)務(wù)而成立的一家小公司。ASML于成立當(dāng)年推出第一款產(chǎn)品PAS2000步進(jìn)重復(fù)式光刻機(jī)。1985年，擁有100名員工的ASML搬遷到新總部，1986年推出新款的PAS2500光刻機(jī)，并與德國的重要供應(yīng)商蔡司(ZEISS)建立了合作關(guān)系。

1988年，ASML通過飛利浦在中國臺灣的合資制造企業(yè)，進(jìn)入亞洲市場，并在美國設(shè)立了5個辦事處。但當(dāng)時激烈的市場競爭環(huán)境，使得ASL的財務(wù)壓力極大，只能依靠飛利浦的支持繼續(xù)開展研發(fā)。

1991年，ASML推出PAS5500型光刻機(jī)，其行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)能和分辨率得到客戶認(rèn)可，開始逐步實(shí)現(xiàn)盈利，并于1995年上市。ASML此后高速發(fā)展，于2001年推出TWINSCAN雙工作臺，之后幾年推出了TWINSCAN XT系列浸沒式光刻機(jī)，市場份額快速增長。2010年ASML成功完成第一臺EUV光刻機(jī)樣機(jī)NXE3100,并成為EUV光刻機(jī)的唯一廠商。

????ASML公司的快速發(fā)展，離不開與客戶的緊密協(xié)作。臺積電(TSMC)早期曾通過交叉協(xié)議采用飛利浦的技術(shù)生產(chǎn)芯片，因此地與其子公司A$L保持著密切協(xié)作：雙方在浸沒式光刻的研發(fā)上一拍即合，奠定了ASML浸沒式光刻機(jī)的領(lǐng)先地位。

????ASML在與英特爾的合作中也受益頗豐。ASML加入了英特爾聯(lián)合政府、企業(yè)建立了EUV技術(shù)聯(lián)盟。英特爾協(xié)調(diào)美國能源部及其下屬三大國家實(shí)驗(yàn)室：勞倫斯利弗莫爾國家實(shí)驗(yàn)室、桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室和勞倫斯伯克利實(shí)驗(yàn)室，為ASML推進(jìn)EUV技術(shù)的研發(fā)開放了大量技術(shù)資源，進(jìn)一步擴(kuò)大了對其他企業(yè)的領(lǐng)先優(yōu)勢。

????此外，ASL允許其大客戶對其進(jìn)行少數(shù)股權(quán)投資，英特爾、臺積電、三星投資總計約39億歐元取得23%的股份，并提供EUV研發(fā)資金13.8億歐元，享受EUV光刻機(jī)的優(yōu)先供貨權(quán)，成功構(gòu)筑了利益共同體。

ASML公司也格外重視上游關(guān)鍵供應(yīng)鏈，通過收購Cymer,入股蔡司，獲取了光源、鏡頭等領(lǐng)先技術(shù)，加速了EUV光源和光學(xué)系統(tǒng)的研發(fā)進(jìn)程。

• 光刻設(shè)備國產(chǎn)化

我國光刻機(jī)及相關(guān)技術(shù)進(jìn)展緩慢，相關(guān)產(chǎn)品多止步于科研項(xiàng)目，缺乏產(chǎn)線量產(chǎn)驗(yàn)證。

2002年，上海微電子裝備有限公司(SMEE)成立，并承擔(dān)了863計劃中的100納米分辨率A1f光刻機(jī)項(xiàng)目。通過參與863計劃與02專項(xiàng)，上海微電子掌握了光刻機(jī)多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并于2016年推出用于IC前道制造的600系列光刻機(jī)，工藝覆蓋90納米、110納米和280納米，為浸沒式光刻機(jī)的研發(fā)奠定了良好的基礎(chǔ)。

作為中國國內(nèi)唯一的光刻機(jī)整機(jī)廠商，上海微電子在光刻領(lǐng)域的布局較為完善，覆蓋了集成電路前道制造光刻、后道封裝光刻、6寸及以下襯底光刻、面板光刻等多個領(lǐng)域。其中在后道封裝領(lǐng)域，上海微電子已經(jīng)占據(jù)了中國國內(nèi)80%，全球40%的市場份顏。

券商觀點(diǎn)：

1.半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下滑。全球各大晶圓廠開始

逐步削減產(chǎn)能和資本開支，國內(nèi)晶圓廠的產(chǎn)能利用率也出現(xiàn)下滑

2.貿(mào)易保護(hù)主義等因素延緩國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)步伐。美國行政當(dāng)局于2022年10月出臺針對中國企業(yè)的新限制措施，對國內(nèi)晶圓廠造成一定沖擊，若擴(kuò)產(chǎn)大幅放緩，會對國內(nèi)光刻產(chǎn)業(yè)鏈的市場需求造成較大影響。

3.光刻設(shè)備與組件技術(shù)難度大，研發(fā)進(jìn)度慢于預(yù)期。光刻設(shè)備涉及到光學(xué)、電子學(xué)、算法等領(lǐng)域的高難度技術(shù)，成功進(jìn)入量產(chǎn)產(chǎn)線需要在客戶端進(jìn)行較長時間的工藝驗(yàn)證；光刻設(shè)備及零件研發(fā)難度極大