隨著國產(chǎn)芯片顆粒的快速成熟，不僅已經(jīng)穩(wěn)定的推出相關(guān)芯片產(chǎn)品，而且在供貨上也日趨穩(wěn)定，這點從各家廠商紛紛推出相關(guān)方案的產(chǎn)品即可看出，那么今天就帶來另一款采用國產(chǎn)顆粒方案的SSD產(chǎn)品，致鈦PC005?1TB?測試報告。

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產(chǎn)品開箱圖賞：

簡單看一下PC005的整體外觀。

SSD的背面則沒有料件，只有PCB。

主控是SMI的SM2262EN，NVME 1.3標(biāo)準，傳輸模式PCI-E?3.0 X4。

PC005是有緩存的方案，緩存為南亞NT5AD512M16A4-HR，是一顆512MB容量的DDR4顆粒。

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閃存顆粒型號為YMN08TE1B3PC3B，是長江存儲第二代64層堆疊3D TLC閃存，單顆存儲容量512GB，兩顆組成1TB容量。

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SSD附件只有一張紙質(zhì)說明書。

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產(chǎn)品測試平臺：

簡單介紹一下測試平臺。

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用到的主板是ROG的ROG CROSSHAIR VIII DARK HERO。

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內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*4。實際運行頻率是3200C14。

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顯卡采用的是AMD 6900XT。

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系統(tǒng)盤用的是INTEL的535。

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散熱器是超頻三的凌鏡GI-CX360 ARGB。

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硅脂用的是喬思伯的CTG-2。

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電源是ROG的STRIX 850w。

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測試平臺是Streacom的BC1。

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產(chǎn)品性能測試：

由于現(xiàn)在SSD充斥表面SSD，傳統(tǒng)的跑分軟件基本都淪陷。有介于此，這邊啟用了一套新的測試標(biāo)準用于橫向?qū)Ρ取?/span>

· 橫向?qū)Ρ戎薪y(tǒng)計的SSD經(jīng)過全盤擦寫和重新分區(qū)，消除新盤的雞血狀態(tài)。

· 連續(xù)讀寫性能選取HD TUNE的大文件讀寫測試，文件大小為50GB。

· 4K隨機性能采用IOMETER混合讀寫，分別進行QD1的淺隊列和QD32的深隊列測試。因為日常使用中不會存在純粹的讀寫行為，會在讀寫測試中反向混入25%的負載（例如讀取測試中75%讀取，25%寫入）。

· 現(xiàn)在部分SSD會通過玩命調(diào)教固件來提升4K的隨機數(shù)值，所以這邊引入4K離散值統(tǒng)計來讓那些表面SSD露出原型。公式中是對 SSD自身IOPS平均值計算離散程度，不會出現(xiàn)性能低的SSD，離散會較低的BUG。

· 離散測試是通過IOMETER來跑，測試前會先運行120秒預(yù)熱，然后運行12分鐘收集600個數(shù)據(jù)樣本。所以我的離散測試會比較針對存儲顆粒的自身性能。

· IO延遲的部分則會采用AS SSD 10G文件測試，連續(xù)三次讀寫延遲的數(shù)據(jù)取平均值。

· 表格實在比較龐大，手機端還是橫過來看更方便一下，電腦端就當(dāng)治療頸椎病吧。· 需要注意的是由于群聯(lián)E16的功耗較大，所以并不適合裸機測試重載環(huán)境，這邊使用了TT的第三方散熱片來進行測試。

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以下為橫向?qū)Ρ冉y(tǒng)計的圖表，橫向?qū)Ρ戎兄骡?/span>PC005 1TB大致屬于主流水平。致鈦無法達到旗艦級別的主要的原因是在深隊列離散表現(xiàn)不夠理想，明顯影響了最終評分。

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針對SSD主要測試了三種模式。

·?空盤模式，在默認狀態(tài)下直接進行測試，如果SSD默認不帶散熱片則在無散熱情況下測試。

· 空盤+FAN模式，依然是空盤情況下，但是會用風(fēng)扇直吹SSD，使SSD的工作溫度始終不會觸發(fā)溫度墻。

· 90%填充+FAN模式，保持SSD保持在合適的工作溫度下，并為SSD填充到90%容量后測試。

從圖表中可以看到，當(dāng)PC005 1TB在默認狀態(tài)下性能大致與?？低暤?/span>CC150相當(dāng)，但是PC005具有良好的散熱狀態(tài)下性能可以優(yōu)于INTEL 750。提升幅度達到18%。在全盤填充后性能會有一定程度的降低，主要是AS SSD的讀取延遲大幅提高導(dǎo)致。

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接下來是離散部分的測試。首先測試的是空盤狀態(tài)下，SLC緩存的運行會比較積極。

速度上看，PC005?1TB在淺隊列讀寫相對較高，但是深隊列讀寫的速度則比較一般。

離散程度上看，PC005?1TB在淺隊列讀寫相對比較平穩(wěn)可以認為是中等水平，但是深隊列讀寫并不夠理想，離散程度較大。

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下圖是空盤、空盤+FAN、90% FULL+FAN三種模式的讀取離散對比。

絕對速度

·?淺隊列下，三種模式下離散程度總體區(qū)別較小，大體一致。

·?深隊列下，對比有無散熱的情況性能會有明顯的改善，空盤與填充模式下差別并不算很大大體一致。

離散程度

·?淺隊列下，對比有無散熱的情況差別很小，空盤與填充模式下可以看到波動的周期不變，但是會提前開始波動。

·?深隊列下，對比有無散熱的情況差別比較明顯，有散熱情況下改善較大?？毡P與填充模式下差別較小但是全盤填充后會略有衰減。

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下圖是空盤、空盤+FAN、90%?FULL+FAN三種模式的寫入離散對比。

絕對速度

·?淺隊列下，三種模式下離散程度總體區(qū)別較小，填充模式下性能略低一些。

·?深隊列下，對比有無散熱的情況性能會有明顯的改善，空盤與填充模式下差別并不算很大大體一致。

離散程度

·?淺隊列下，對比有無散熱的情況差別很小，空盤與填充模式下可以看到波動的周期不變，但是會延后開始波動。

·?深隊列下，對比有無散熱的情況性能會有明顯的改善，空盤與填充模式下差別并不算很大大體一致。

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常規(guī)產(chǎn)品性能測試大致會分為三段。

開箱性能測試，這個環(huán)節(jié)可以測試出SSD在最好狀態(tài)下大致可以達到什么性能。

壓力測試，這個環(huán)節(jié)通過長時間滿載寫入，用于測試SSD在極端壓力下性能會到什么程度。

日常狀態(tài)測試，在壓力測試之后，會通過一小時待機和重新分區(qū)讓SSD重新恢復(fù)，來體現(xiàn)日常使用中的性能表現(xiàn)。

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先從文件基準來看。兩張圖第一張是新盤測試完一些常規(guī)BENCHMARK之后進行的，第二張圖是全盤擦寫之后再跑一輪常規(guī)BENCHMARK之后進行的。

PC005 1TB的讀取曲線大體平穩(wěn)，但是開始階段會有一段比較慢的時間。寫入曲線先是有12G左右的緩內(nèi)速度為2000MB\S左右。緩?fù)馑俣葹?/span>750MB\S左右，繼續(xù)寫入速度會掉到200MB\S左右。新盤和擦寫后的讀寫速度有較大區(qū)別，新盤為2345MB\S &?345MB\S，擦寫后為1492MB\S?&?294MB\S，速度有一定的衰減。

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空盤散熱充足的情況下，可以看到讀取曲線開頭比較慢的部分是因為SSD比較熱速度被限制，散熱不受限之后讀取速度也就不受限了。寫入曲線上緩?fù)馑俣瓤梢苑€(wěn)定在750MB\S左右。讀寫速度從1492MB\S?&?294MB\S改善為2929MB\S?&?879MB\S。

對比空盤和90%填充的對比前后速度變化很小，對性能影響很小，讀寫速度為2910MB\S?&?881MB\S。

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然后是最有看頭的SSD壓力測試。在新盤狀態(tài)下HD TUNE的讀寫曲線位1537.4MB\S & 401.9MB\S。寫入速度主要是受到散熱問題的限制，可以看到寫入速度會周期性波動。

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對SSD的擦除采用HD TUNE對SSD進行持續(xù)擦寫，這個環(huán)節(jié)的負載是所有測試中最高的。CC500 1TB的寫入性能大致分為三個階段。第一階段0G~12G，寫入速度為990MB\S左右，跑的是SLC緩存。在緩?fù)鈺r會循環(huán)波動，溫度不撞墻的情況下寫入速度為610MB\S左右，撞墻后寫入速度為110MB\S左右。

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在完成壓力測試后相當(dāng)于容量用盡狀態(tài)的測試，可以看到連續(xù)擦寫后對SSD的讀取速度有影響，寫入主要受到溫度影響。讀寫速度為1270.1MB\S?&?187.4MB\S

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在待機一小時之后，讀寫性能為1098.3MB\S & 365.3MB\S，讀取曲線還是有明顯波動，寫入曲線基本恢復(fù)。

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在重新分區(qū)刷新后，讀寫性能為1524.6MB\S & 350.4MB\S，讀取基本恢復(fù)，但是寫入有所損失。

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常規(guī)跑分測試：

HD TUNE的測試在擦寫前后讀寫性能總體是略有下降的，寫入損失比較明顯。

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然后看一下不同測試軟件的跑分情況，AS SSD是3717/3581，AS SSD的跑分中等偏上。

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CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO這三款軟件現(xiàn)在已經(jīng)變成治愈系的測試軟件，所以大家參考一下即可。

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簡單總結(jié)：

產(chǎn)品優(yōu)點：

性能屬于目前主流水平，在同價位中偏中上。

緩?fù)馑俣冗_到750MB/S，速度較高。

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產(chǎn)品缺點：

深隊列離散較大，表現(xiàn)不佳。

如果需要完整發(fā)揮性能，必須搭配散熱片使用。

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總體來說，致鈦的PC005 1TB屬于比較不錯的主流級產(chǎn)品，緩?fù)膺B續(xù)寫入速度很快，但是隨機讀寫表面較為一般。從這點上就可以看出，目前來自長江存儲的存儲顆粒已經(jīng)相當(dāng)成熟，以至于定位偏入門的SMI主控已經(jīng)成為了短板。隨著目前采用國產(chǎn)顆粒方案的SSD產(chǎn)品越來越多，在全球缺芯的大環(huán)境下，SSD和內(nèi)存的價格卻十分平穩(wěn)，可見芯片國產(chǎn)化之后對我們帶來的真正益處。

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