第一個NMOS電容，隨著VGS變化會有三個區(qū)，積累區(qū)，形成和襯底相同的電荷，耗盡，襯底電荷被排斥，留下離子，離子不導(dǎo)電。反型層，形成和襯底相反的電荷。為什么會出現(xiàn)，電容大小的變化，是因為電荷的變化。

將PSUB中加入nwell，就不會出現(xiàn)與襯底電荷相反的情況，也就沒有反型，只有耗盡，和積累。