書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氧化硅的表面特性

編號(hào)：JFKJ-21-260

作者：炬豐科技

介紹 ?

????自晶體管效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)(1948年)，這些研究主要集中在鍺和硅晶體上，特別是因?yàn)楦鞣N表面現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)有不利的影響，用這些材料制成的pn結(jié)器件的性能和穩(wěn)定性。二氧化硅薄膜對(duì)薄膜的表面性質(zhì)具有穩(wěn)定作用硅。雖然不只是因?yàn)楸砻嬖蚍€(wěn)定。該膜還可用于對(duì)雜質(zhì)的選擇性掩蔽擴(kuò)散，用于在硅中制造pn結(jié)。它們還可以分離金屬Electrades來(lái)自半導(dǎo)體。這種金屬電極可用于例如連接晶體管、二極管和電阻硅集成電路。 ?

硅體性能 ?

? 在室溫下，純(本征)硅不含許多流動(dòng)性載流子:約1·6.1010電子，正電荷數(shù)相同。雜質(zhì)可以摻入，以獲得增加電子或洞的數(shù)量。可找到合適的供體元素例如P, As, Sb這些元素被替換地建立在硅晶格中，它們的組織能源相對(duì)較低。

一種氧化物涂層半導(dǎo)體表面的物理模型