中日芯片半導(dǎo)體大戰(zhàn)開打前的火藥味已經(jīng)非常足了。

眼看著離7月23日還剩一個(gè)多月，日本搞的芯片制造設(shè)備出口限制條款馬上就要生效了。

日本貿(mào)易大臣西村康俊說這些出口管制并不針對任何一個(gè)國家，但東京電子高管在一次財(cái)報(bào)會(huì)上就透露，許多中國公司正在抓緊下訂單并要求將交貨時(shí)間提前。

因?yàn)橹袊麄€(gè)芯片代工行業(yè)都知道，日本是朝自己來的。

日本限制芯片設(shè)備出口，其實(shí)是為了配合美日荷對華芯片設(shè)備限制協(xié)議的落地。

一月份美國拉攏日本、荷蘭達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，具體的禁售措施目前是被保密的，但也不用猜，目的是繼續(xù)加大對中國的芯片制裁。

美國聯(lián)手日本荷蘭，意圖就是在芯片全產(chǎn)業(yè)鏈上圍堵中國，美國商務(wù)部在去年10月新增了幾項(xiàng)對華芯片管制措施，斷供芯片的范圍擴(kuò)大到了14nm芯片，14nm以下的先進(jìn)制程芯片禁止出口到中國。

然后呢，美國早就強(qiáng)制要求荷蘭將造7nm以下芯片的極紫外光刻機(jī)（EUV）列入禁售名單，而且在3月8日荷蘭正式宣布加入美國在半導(dǎo)體行業(yè)對中國的限制行列，正式對華禁售DUV光刻機(jī)。

具體是什么制程范圍的暫且不知道，但7nm至16nm的肯定沒戲了，如果擴(kuò)大到28nm至45nm、甚至以上，這是中國芯片制造需求最大的范圍，那么中國半導(dǎo)體制造將會(huì)受到大范圍的沖擊。

而日本配合美荷遏制中國制造先進(jìn)芯片的做法，就是在5月23日修改《外匯與對外貿(mào)易法》，將6類23種芯片制造設(shè)備實(shí)行出口管制。

之前日本還沒出手時(shí)，好像這個(gè)國家的半導(dǎo)體并沒有什么存在感，但你去深挖就會(huì)發(fā)現(xiàn)，日本是搞半導(dǎo)體的國家里，唯一一個(gè)幾乎什么芯片設(shè)備都能造的。

雖然做出來的東西不像美國荷蘭一樣高尖端，但勝在每個(gè)芯片制造環(huán)節(jié)都有自己的產(chǎn)品，甚至是搞相機(jī)的尼康也能造14nm級的光刻機(jī)。

芯片制造流程分為晶圓加工、清洗、熱處理、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試、封裝。

所以說荷蘭禁售光刻機(jī)只是芯片制造中的一個(gè)環(huán)節(jié)，卡住了中國先進(jìn)制程芯片光刻一個(gè)環(huán)節(jié)的脖子，而日本則是痛下殺手直接卡你六個(gè)環(huán)節(jié)，而且大都是用來造10至14nm芯片的設(shè)備，甚至還涉及到7nm極紫外光刻機(jī)的制造設(shè)備。

至此由美國主導(dǎo)，美日荷三國聯(lián)手對中國芯片全方位的制裁已經(jīng)到位了。

芯片制造的全產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備對中國卡脖子，除了美日荷，我們還能從其它國家購買到設(shè)備嗎？

這個(gè)幾乎是不可能的，美日荷在設(shè)備、軟件和原材料上壟斷著全球90%以上的份額，想要跳過這三個(gè)國家很難實(shí)現(xiàn)。

就拿刻蝕機(jī)來說（2020年數(shù)據(jù)），美國泛林集團(tuán)、應(yīng)用材料和日本東京電子分別占據(jù)了46.71%、16.96%、26.57%的市場份額，美日刻蝕機(jī)壟斷著超90%的市場。

清洗設(shè)備的市場占有率，日本迪恩士50%、東京電子和泛林一共30%至40%，基本這塊兒也是他們的地盤。

剩下的我就不舉例了，顯而易見，我們不可能跳過美日荷找到其它的替代市場，中國同美日荷的芯片戰(zhàn)爭只能有一方獲勝，而我們?nèi)俚奈ㄒ晦k法就是國產(chǎn)替代。

那么現(xiàn)在美日荷制裁的這些芯片設(shè)備，國產(chǎn)化做的怎么樣呢？

國內(nèi)的芯片代工龍頭是中芯國際，中芯在2021年就已經(jīng)多次擴(kuò)產(chǎn)了28nm芯片的產(chǎn)能，而且早在三年前已經(jīng)具備小規(guī)模量產(chǎn)14nm的能力，中芯內(nèi)部有個(gè)工藝名稱叫N+1，通過這種等效工藝可以在DUV光刻機(jī)上做出接近7nm的芯片，現(xiàn)在只是通過了試產(chǎn)階段。

但有一點(diǎn)要清楚的是，中芯是芯片代工廠，DUV光刻機(jī)也是從阿斯麥進(jìn)口的。

所以國產(chǎn)成熟工藝的光刻機(jī)要從上海微電子的90nm光刻機(jī)說起，它可以通過多次曝光實(shí)現(xiàn)28nm量產(chǎn)，不過要通過犧牲良品率來達(dá)到。

據(jù)說90nm光刻機(jī)已經(jīng)量產(chǎn)，但目前來看并沒有完全鋪開，原因可能是涉及成本或者軟件版權(quán)問題，光刻機(jī)技術(shù)上應(yīng)該不存在什么問題了。

只要能解決28nm成熟制程的芯片，就能滿足國內(nèi)70%以上的需求，新能源汽車、工業(yè)制造等行業(yè)追求的是芯片穩(wěn)定性，現(xiàn)在就等上微將28nm光刻機(jī)真正落地就有希望了。

不過根據(jù)報(bào)道，反而先進(jìn)制程EUV光刻機(jī)的國產(chǎn)化進(jìn)度更快，2016年長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所就驗(yàn)收了一臺13.5nm的EUV光刻機(jī)原型機(jī)，雖然目前還不能商業(yè)生產(chǎn)，但對于吃下EUV技術(shù)的意義比較大。

刻蝕機(jī)國產(chǎn)化進(jìn)度，國內(nèi)主要是中微和北方華創(chuàng)在做，中微的設(shè)備目前已經(jīng)能做到40至45nm芯片的刻蝕，但刻蝕28nm需要用一種難度很大的大馬士革工藝，中微到現(xiàn)在還在搞技術(shù)驗(yàn)證，暫且沒有達(dá)到量產(chǎn)的水平，華創(chuàng)跟中微的進(jìn)度是一致的。

前兩年網(wǎng)上一直在熱炒中微5nm刻蝕機(jī)進(jìn)入臺積電生產(chǎn)線，而且是大批量采購，實(shí)際上臺積電引進(jìn)的這批刻蝕機(jī)是鈍化層蝕刻工藝，跟真正的5nm工藝關(guān)系不大，不過能打入臺積電生產(chǎn)線也是一件很了不起的事情。

如果說光刻機(jī)和刻蝕機(jī)正在向28nm大關(guān)沖擊的話，國產(chǎn)清洗設(shè)備的情況就好多了。

根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)公開的數(shù)據(jù)，2022年前十個(gè)月，國內(nèi)晶圓廠一共招標(biāo)96臺濕法清洗設(shè)備，其中國內(nèi)清洗企業(yè)拿下了37臺，市場占有率達(dá)到38.5%，中國芯片清洗設(shè)備已經(jīng)初具與國外巨頭抗衡的實(shí)力。

國產(chǎn)清洗設(shè)備做的好的是盛美上海、北方華創(chuàng)和芯源微，國內(nèi)先進(jìn)工藝做的較快的是盛美，已經(jīng)具備14至130nm芯片的清洗技術(shù)，北方華創(chuàng)在2018年收購了美國半導(dǎo)體清洗企業(yè)Akrion后，清洗設(shè)備已經(jīng)能做到28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

最后再說說這個(gè)薄膜沉積設(shè)備吧！2021年之前薄膜沉積設(shè)備的國產(chǎn)化率連5%都不到，但隨著中微、北方華創(chuàng)和拓荊科技的入局，薄膜沉積設(shè)備的國產(chǎn)化率直接提升了一個(gè)檔次。

像拓荊科技的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積和次常壓化學(xué)相沉積三種設(shè)備已經(jīng)用于晶圓廠14nm的產(chǎn)線，而且10nm以下的產(chǎn)品也正在搞驗(yàn)證測試，北方華創(chuàng)的產(chǎn)品也是在28nm上實(shí)現(xiàn)了小批量量產(chǎn)。

國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備和其它的領(lǐng)域差不多，成熟工藝上開始小批量量產(chǎn)，但市場占有率差點(diǎn)，先進(jìn)制程上也在搞驗(yàn)證測試。

總體上說，國內(nèi)芯片設(shè)備廠商基本都在沖擊28nm成熟制程這個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，如果能在這個(gè)制程上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，中國芯片也能不受制于人。

美日荷在2023年加大對華芯片制裁的力度，中國也已經(jīng)開始了局部反擊，我們已經(jīng)禁止美光芯片在國內(nèi)關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施上的使用。

2022年中國從日本進(jìn)口的芯片設(shè)備高達(dá)424億美元，大約占日本這年總出口額的三成，如果日本芯片設(shè)備管制一旦生效，恐怕日本付出的代價(jià)是不小的。