半導(dǎo)體是當(dāng)今信息技術(shù)的核心和基礎(chǔ)，是衡量一個(gè)國(guó)家科技實(shí)力和創(chuàng)新能力的重要指標(biāo)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，理論研究是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步和突破的源泉，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先導(dǎo)和引領(lǐng)。近年來(lái)，中國(guó)在半導(dǎo)體理論研究方面取得了顯著的成就和進(jìn)步，在國(guó)際上展現(xiàn)了強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。特別是在2023年，中國(guó)在半導(dǎo)體理論研究上實(shí)現(xiàn)了歷史性的突破，超過了美國(guó)，遠(yuǎn)超日韓，在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域樹立了新的標(biāo)桿。

中國(guó)半導(dǎo)體理論研究的崛起，主要體現(xiàn)在以下3個(gè)方面：

在國(guó)際頂級(jí)會(huì)議上發(fā)表論文數(shù)量和質(zhì)量的提升。國(guó)際頂級(jí)會(huì)議是半導(dǎo)體理論研究水平和成果的重要展示平臺(tái)，也是各國(guó)半導(dǎo)體科研實(shí)力和水平的重要衡量指標(biāo)。在2023年，中國(guó)在國(guó)際頂級(jí)會(huì)議上發(fā)表論文數(shù)量和質(zhì)量都有顯著提升，在某些會(huì)議上甚至超過了美國(guó)。比如，在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，中國(guó)（含港澳臺(tái)）入選82篇論文（不含臺(tái)灣省也有59篇）。位列第一，比第二名美國(guó)多42篇，遠(yuǎn)超日本的10篇，韓國(guó)的32篇。這些數(shù)據(jù)充分說明了中國(guó)在半導(dǎo)體理論研究方面的實(shí)力和水平。

在半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破和創(chuàng)新。半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域是半導(dǎo)體理論研究的核心和重點(diǎn)，也是決定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力和優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵因素。在2023年，中國(guó)在半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破和創(chuàng)新，在全球范圍內(nèi)引起了廣泛關(guān)注和贊譽(yù)。

比如，在高壓器件方面，中國(guó)成功開發(fā)出了世界上最高壓的碳化硅功率器件，達(dá)到了40kV的擊穿電壓，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域具有巨大潛力；在低壓器件方面，中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)了基于氮化鎵材料的互補(bǔ)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CMOS），打破了氮化鎵器件只能實(shí)現(xiàn)單極性開關(guān)的局限，在低功耗應(yīng)用領(lǐng)域具有重要意義；在功率集成電路方面，中國(guó)開發(fā)出了基于氮化鎵的單片集成的高效率逆變器，實(shí)現(xiàn)了功率密度和效率的雙重提升，在新能源汽車和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景；在寬禁帶功率半導(dǎo)體器件方面，中國(guó)研制出了基于碳化硅和氮化鎵的混合集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了不同材料之間的無(wú)縫連接，在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下具有優(yōu)異的性能。

在半導(dǎo)體理論研究人才培養(yǎng)和隊(duì)伍建設(shè)方面取得顯著成效。半導(dǎo)體理論研究人才是半導(dǎo)體理論研究的根本和保障，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要支撐。在2023年，中國(guó)在半導(dǎo)體理論研究人才培養(yǎng)和隊(duì)伍建設(shè)方面取得了顯著成效，在全球范圍內(nèi)樹立了良好的形象和聲譽(yù)。比如，在國(guó)際頂級(jí)會(huì)議上擔(dān)任技術(shù)委員會(huì)委員或主席的中國(guó)學(xué)者數(shù)量不斷增加，參與會(huì)議組織和評(píng)審工作，為會(huì)議質(zhì)量和水平的提升做出貢獻(xiàn)；在國(guó)際頂級(jí)期刊上擔(dān)任編委或主編的中國(guó)學(xué)者數(shù)量也不斷增加，參與期刊編輯和審稿工作，為期刊影響力和聲譽(yù)的提升做出貢獻(xiàn)；在國(guó)際知名獎(jiǎng)項(xiàng)上獲獎(jiǎng)或提名的中國(guó)學(xué)者數(shù)量也不斷增加，獲得國(guó)際同行的認(rèn)可和尊重，為中國(guó)半導(dǎo)體理論研究樹立了新的標(biāo)桿。

2023年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)理論研究超過美國(guó)，遠(yuǎn)超日韓，在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了歷史性的突破和成就。這是中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域長(zhǎng)期堅(jiān)持自主創(chuàng)新、加大投入、強(qiáng)化合作、培養(yǎng)人才的結(jié)果，也是中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域追趕超越、走向領(lǐng)先、引領(lǐng)未來(lái)的標(biāo)志。我們有理由為中國(guó)半導(dǎo)體理論研究的崛起而自豪和驕傲，也有信心為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而努力和奮斗。