書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：掩模清潔技術(shù)工藝

編號：JFKJ-21-107

作者：炬豐科技

摘要

隨著特征尺寸的不斷縮小，清潔變得越來越重要和具有挑戰(zhàn)性。已經(jīng)探索了許多方法和策略來減少顆粒缺陷和離子霧度，這些缺陷和離子霧度會破壞薄膜掩模板的產(chǎn)量。成功的清潔方法必須平衡顆粒和霧度的減少，同時對鉻疊層的透射率、暴露的石英和硅化鉬表面的相移施加最小的變化。本文重點介紹了在單個掩模版清潔工具中協(xié)同工作的許多先前探索的清潔方法。我們展示了文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁我們在消除對反射率和相位角影響最小的粒子方面的發(fā)現(xiàn)。我們測試了臭氧水和使用氫氧化氨和氫水的最終清潔方法的綜合效果。

介紹

其他人已將硫酸鹽和氨離子殘留物與污染增長聯(lián)系起來，通過增強清潔技術(shù)減少掩模版上的此類殘留物，可以延長使用壽命。在掩模清潔過程中消除這些殘留物是向前邁出的重要一步。在最終清洗過程中置換硫酸是一種明顯的離子還原手段。消除氨和熱水將有利于硅化鉬和石英的耐用性。因此，最大的進步可能是避免使用高濃度的堿和酸，并在室溫下使用低濃度試劑。

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這篇文章主要已經(jīng)討論了室溫清潔——它對鉻表面的影響。我們發(fā)現(xiàn)，在獲得世界一流的相移和透射率數(shù)據(jù)的同時，可以對 SiN 顆粒進行 99% 以上的清潔。使用這種低損壞質(zhì)量的清潔級別，可以進行更多的清潔，同時減少缺陷。