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【公開課】gm-id電路設(shè)計(jì)方法[基于Cadence IC 617,網(wǎng)易見...

2022-10-03 00:45 作者:沖鋒的小番茄  | 我要投稿

在cadence獲得gmid設(shè)計(jì)方法所需曲線

---------- 概述 ----------

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gm over id (gmid) method part 1 introduction P1 - 00:35
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  • 傳統(tǒng)手算方法在小尺寸不再精確:例如尺寸↓,Sah方程的精度↓,不再很好地遵守平方律(短溝道效應(yīng)等問題)
  • gm/Id方法:利用圖表來進(jìn)行手工計(jì)算

/感興趣的參數(shù):gm,Id,gm/Id,fT(管子特征頻率),fT*(gm/Id),gm/gds,Id/W(電流密度),vov(vth-vgs)


---------- y vs. vgs plot ----------

/y指的是所有關(guān)心的量,如gm、fT、gm/Id等

/要獲得gmid設(shè)計(jì)方法需要的曲線(比如gm/Id vs. fT),需要先獲得所有這些量和vgs之間的關(guān)系(gm/Id vs. vgs和fT vs. vgs),再以vgs作為中間量,獲得gm/Id vs. fT曲線

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 00:11
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  • 需繪制的特性曲線:

gm vs. vgs

Id vs. vgs

gm/Id vs. vgs

fT vs. vgs

fT*(gm/Id) vs. vgs

vov vs. vgs

Id/W vs. vgs


1. 單個(gè)尺寸下的特性曲線(NMOS)

****圖例都是自己跑的結(jié)果(smic18mmrf,n18,width=5u,length=300n),和視頻結(jié)果有差別

  • Id vs. Vgs

/1.8V NMOS 設(shè)置變量L=length,W=width

/仿真設(shè)置:對vgs進(jìn)行dc掃描

tip:在ADE中,Design variable窗口內(nèi)右鍵,有部分快捷的操作

/Output選擇管子漏端,run

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 06:29
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  • 從Results Browser獲取部分參數(shù)(需添加一個(gè).scs文件)

/cadence或者spectra只會存儲DC operating point中很小一部分的數(shù)據(jù)(如下圖),要寫一個(gè)scs文件,讓cadence能存儲所有掃描的點(diǎn)的DC message

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 08:59
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/在打開icbf的目錄下,創(chuàng)建一個(gè)空的.scs文件(save_op.scs)

/編輯.scs文件,M0是原理圖對應(yīng)的管子

/將.scs文件添加到ADE的model library或Simulation FIle(都在Setup目錄下),這里以Simulation FIle為例,點(diǎn)擊Apply→OK

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 10:44
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/再次運(yùn)行仿真,ADE→Tools→Result Browser,在dc欄目中可以看到所有的參數(shù)都被保存,雙擊參數(shù)則會自動繪制曲線

/gm,Id,gm/Id等眾多參數(shù)都可以直接繪制,經(jīng)驗(yàn)證,這里繪制出的圖像和在ADE的Output處繪圖,結(jié)果是完全一致的

  • fT vs. vgs(需要calculator, expression相關(guān)操作)

/特征頻率fT是晶體管電流放大能力(β=id/ig)下降到1時(shí)的頻率,這種性能的劣化主要由柵電容Cgg決定,fT=gm/(2*pi*Cgg),cgg=-(cgs+cgd+cgb)

tip:可參考https://www.doc88.com/p-8788931950034.html?r=1

/Result Browser中沒有提供fT,但提供了gm和Cgg,通過Calculator在ADE的Output中完成繪圖

tip:16個(gè)電容參數(shù)可參考http://ee.mweda.com/ask/411926.html

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 17:15
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/在Result Browser中右鍵Cgg→Calculator

/面板中是Cgg vs. vgs對應(yīng)的expression,闊選→右鍵→Copy

/回到Result Browser中右鍵gm→Calculator,粘貼Cgg的表達(dá)式,獲得gm/(2*pi*Cgg)

tip:覺得這樣復(fù)制麻煩,可以把表達(dá)式添加到calculator的Stack

/回到ADE,Output→Setup→Get Expression將calculator的表達(dá)式導(dǎo)入,設(shè)置Name為fT,點(diǎn)擊Add→OK

tip:如果要改表達(dá)式,在ADE的Output框中雙擊變量,Get Expression→Change

/添加了Output變量fT,不用重新Run,直接plot

/結(jié)果如下

  • fT*(gm/Id) vs. vgs

/同上,從Result Browser中可以獲取fT和gm/Id的表達(dá)式,設(shè)置Output變量fT*(gm/Id)

/結(jié)果如下

  • vgs-vth vs. vgs

/同上,Result Browser中有vgs和vth,vov=vgs-vth

  • gm/gds vs. vgs

/同上,Result Browser中有g(shù)m和gds(即ro)

  • Id/W vs. vgs(獲得width vs. vgs expression的技巧)

/width是Design Variable,需額外設(shè)法plot width vs. vgs,獲得expression用于和前面相同的繪圖方法

tip:比如getData("M0:id?"?result"dc")就是Id vs. vgs的expression,這里要設(shè)法獲得v("/W"?result"dc")

/電路設(shè)置:增加一個(gè)不用的vdc器件,將電壓設(shè)為width,輸出端接wire,wire的另一頭連接到basic的noConn器件,表示不連接到任何端口

/快捷鍵L(Add Name),為這段wire設(shè)置名稱W(只為了方便看)

/這樣做的目的是讓名為W的wire上擁有一個(gè)等于width的電壓值,把width變?yōu)榭梢宰鳛镺utput來繪圖并獲得expression的量,唯一的差別是單位從m(米)變成了V(伏特)

/ADE中Results→Direct Plot→DC

/原理圖中選中導(dǎo)線W→ESC退出點(diǎn)選,得到W vs. vgs,右鍵曲線名稱→Send To→Calculator,獲得expression

/Result Browser中有Id,和前面相同的方法,獲得Id/W vs. vgs

2.對L進(jìn)行掃描,獲得多個(gè)尺寸下的MOSFET特性曲線

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 29:57
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對于gm/Id分析方法,幾乎所有變量對W都是不敏感的,因此只對L掃描,固定W=5u

/在ADE的Outputs整理好所有要plot的曲線

/Tools→Parametric Analysis

/設(shè)置length從180n掃描到500n,線性間隔80n

/結(jié)果如下

/保存ADE的state,注意Parametric Analysis的state也可以保存

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gm over id (gmid) method part 2 MOSFET Characterization P2 - 33:44
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3.測試PMOS的特性曲線

/在前面的.scs文件中,保存的是M0管的參數(shù),要保持待測管名稱和.scs文件中的命令一致

/ADE中l(wèi)oad state,有些參數(shù)是負(fù)的,在Id、gm/Id、vov、Id/W表達(dá)式加負(fù)號,把值都改成正的方便分析,

/Parametric Analysis獲得曲線如下


---------- y vs. y plot(Cadence) ----------

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gm over id (gmid) method part 3 plotting in cadence P3 - 00:22
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/Lecture2中獲得的曲線x軸為vgs,y軸為Id、gm、vov等,gmid方法需要這些y值之間的關(guān)系曲線,比如vov vs. gm/Id,即y vs. y plot

僅介紹在cadence中的實(shí)現(xiàn)方法

  • 從ADE生成ocean script

/ocean全稱Open Command Environment for Analysis,是一種SKILL語言,可以配置cadence中的仿真環(huán)境

tip:關(guān)于ocean script的介紹,參考https://zhuanlan.zhihu.com/p/27786161

/重新寫一個(gè)ocean script比較費(fèi)事,在ADE的Session→Save Ocean Script可生成當(dāng)前的ocean script,是一個(gè).ocn文件,我命名為n18_gmid.ocn

/打開.ocn文件,可以對應(yīng)查看ADE中的仿真設(shè)置

/可以直接在icfb中運(yùn)行.ocn文件,實(shí)現(xiàn)無GUI的仿真運(yùn)行。將除icfb以外所有界面關(guān)閉(僅為說明無需GUI),在icfb中輸入命令:

load("n18_gmid.ocn")

加載.ocn文件,在icfb日志中可以看到仿真過程,結(jié)束后與ADE中一樣地完成plot

  • 修改ocean script,實(shí)現(xiàn)y vs. y plot

/ocnYvsYplot是用于實(shí)現(xiàn)y vs. y plot的函數(shù),vgs只是中間量

/結(jié)果如下(這4個(gè)曲線不一定有用,只是y vs. y plot的例子)

tip:去掉addSubwindow()函數(shù),各曲線繪制在一張圖內(nèi)

tip:也可以直接在icbf命令框輸入函數(shù)

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gm over id (gmid) method part 3 plotting in cadence P3 - 15:34
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  • 對length進(jìn)行掃描

/掃描功能是在ADE的Tools→Parametric Analysis中完成的,實(shí)際上Parametric Analysis也就是在ocean script中的一些函數(shù),出于方便,直接從Parametric Analysis中生成ocean script

/把繪圖的語句添加到Parametric Analysis生成的ocean script中:

/繪出4種很有用的曲線:gm/Id vs. vov;gm/gds vs. gm/Id;fT vs. gm/Id;Id/W vs. gm/Id;結(jié)果如下

/對pmos重復(fù)操作一次



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