書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：第三代寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵器件研究進展

編號：JFKJ-21-300

作者：炬豐科技

摘要

? 第三代寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵引起了廣泛的關(guān)注因其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能而受到工業(yè)界和研究界的關(guān)注。離子摻雜GaN材料不僅具有稀土元素的優(yōu)良光學(xué)性能，而且具有優(yōu)良的光學(xué)性能可以充分發(fā)揮半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢。?

引言

? 以 GaN 為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料在照明領(lǐng)域所占比重越來越大，是重要的照明材料。自從1993 年第一支高亮度的藍色 GaN 基發(fā)光二極管( LED) 問世以來，LED 技術(shù)得到迅猛發(fā)展。目前，人們基InGaN 結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了近紫外到綠光發(fā)射器件的商業(yè)化。

?

材料制備

1.1原位生長法

對于 GaN∶ Eu 材料的生長，常見的方法之一為在藍寶石、Si 或 GaN 自支撐襯底上通過 MOCVD，MBE，HVPE 方法原位生長。

1.2 離子注入法 ?略

兩種制備方法的比較

發(fā)光機理

GaN∶ Eu的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)增強發(fā)光 ??略