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7月5日，知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu) TechInsights 舉辦了線上“存儲半導(dǎo)體進(jìn)展與融合挑戰(zhàn)： DRAM 和 NAND ”( Memory Process and Integration Chalenges :DRAM & NAND ）研討會。在存儲芯片領(lǐng)域有著30多年從業(yè)經(jīng)歷的高級技術(shù)分析師 Jeongdong Choe 博士在會上分享了 DRAM 和 NAND 前沿技術(shù)的發(fā)展以及未來可能遭遇的挑戰(zhàn)。

日前，三星在128層單堆棧產(chǎn)品的容量上（從256Gb到256Gb）不斷實(shí)現(xiàn)突破，對此， Jeongdong Choe 在研討會上表示，目前全球主要玩家在3D NAND 設(shè)計(jì)上都有不同程度的創(chuàng)新，比如三星的 COP 架構(gòu)， SK 海力士的 PUC 架構(gòu)，美光的 CuA 架構(gòu)等等。

三星128層單堆棧3D NAND 的核心競爭力在于單堆棧，不同于英特爾等競爭對手的多 deck 集成，可以在深寬比( high aspect ration ）和 deck 與 deck 的對齊問題上做到最大限度的優(yōu)化，在量產(chǎn)3D NAND 閃存產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)了世界上最小的單元間距，顯示了單堆棧技術(shù)仍有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/strong>

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