8 月 14 日消息，realme 副總裁、中國區(qū)總裁徐起在預熱海報中表示：“發(fā)布超 30 款第二代驍龍 8 旗艦，為什么沒有一款真正觸及性能極限？”。

此前，realme 在中國上海舉行的 China Joy 2023 展會上設立了一個展臺，公布了真我GT5的真機。

據(jù)了解，除真我 GT 5外，該系列還將配備Pro 版，預計搭載驍龍 8 Gen 3 處理器。

?詳細配置，據(jù)現(xiàn)有爆料及其工信部入網(wǎng)消息匯總如下：

【realme GT 5】

◇ 處理器：3.2GHz驍龍 8 Gen 2，配備LPDDR5x 內(nèi)存和 UFS 4.0閃存。

◇ 存儲規(guī)格：最高24GB+1TB存儲；

◇ 屏幕：6.74英寸1.5K 2772x1240 分辨率 OLED窄邊框直屏 ，支持144Hz 超高刷，2160Hz PWM 調(diào)光；

◇ 后置：50MP主攝（IMX890 OIS）+8Mp+2Mp。

◇ 前置：16Mp

◇ 電池容量：支持240W快充；

◇ 機身尺寸：163.13x75.38×8.86mm，205克。

◇ 其他配置：NFC，RGB 燈，紅外遙控，X軸馬達。

——該機采用，無屏幕塑料支架+塑料中框+玻璃機身設計，將于本月末發(fā)布。

ID設計方面，從工信部證件照上可以看到，該機配備了矩形超大相機模組，相機與后殼連接處進行了弧度處理，正面配備一塊居中單孔直屏。

驍龍 8 Gen 3方面，根據(jù)此前爆料匯總如下：

◇ 制成工藝：臺積電N4P

◇ CPU：采用1×3.3GHz±*X4 超大核(樣片主頻最高3.7Ghz）+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（驍龍 8 Gen 2：1+4+3）

◇ GPU：Adreno 750

◇ 三級緩存：10MB（驍龍 8 Gen 2：8MB）

——具體規(guī)格配置基于，Geekbench 6平臺，三星 Galaxy S24 Plus現(xiàn)有跑分，如下圖所示：

對比，此前收錄的三星 Galaxy S23?Plus，驍龍 8 Gen 2，跑分可以看出，驍龍 8 Gen 3，CPU單核提升約?11.4%，多核提升約?26.3%。

◇ CPU跑分：GB5（單核1700±/多核6600±）／GB6 （單核2200±/多核7000±）

◇ GPU跑分：GFX ES3.1?280FPS±（驍龍 8 Gen 2：220FPS±）

◇ 發(fā)布日期：高通已經(jīng)宣布了 2023 年 Snapdragon 峰會，將于 10 月 24 日至 26 日舉行，預計將發(fā)布全新的驍龍 8 Gen 3 芯片。

5 月 29 日消息，Arm 公司今天發(fā)布了 2023 年的移動處理器核心設計：Cortex-X4、A720 和 A520。

——以上核心基于 Arm v9.2 架構，僅支持 64 位指令集，不再兼容 32 位應用。

【Cortex-X4超大核】

◇ 定位旗艦，相較前代的 X3 核心性能平均提高了 15%，同頻功耗降低了 40% ！

◇ 物理尺寸?進一步增加，但不足10%。?

◇ L2 緩存大小來到2MB，進一步提高實際性能收益。

◇ IPC 改進平均為 +13%。

◇ 算術邏輯單元 (ALU) 從 6 個增加到 8 個，添加了一個額外的分支單元（總共 3 個），添加了一個額外的乘法累加器單元，以及流水線浮點和平方根運算。

【Cortex-A720性能核】

◇ 相較前代?A715 相同的功率下，核心的效率提高 20%。

◇ 同屏性能提高15%，極限性能提升4.5%。

◇ 縮短流水線長度，優(yōu)化分支預測，以及流水化了浮點除法和平方根運算。

【Cortex-A520能效核】

◇ 相較前代?A510 核心在相同性能下，運行效率提升?22%。

◇ 極限性能提高8%

◇ A520 核心采用合并核架構，可以在一個復合體中共享 L2 緩存、L2 轉換后備緩沖區(qū)和向量數(shù)據(jù)通路。A520 核心在前端也優(yōu)化了分支預測，并移除或縮減了一些性能特性。

Arm 公司表示，這些新的 CPU 核心設計是為了應對移動設備市場的需求變化，不僅要追求更高的性能，還要考慮更好的效率、安全性和可擴展性。隨著 Android 系統(tǒng)對 64 位應用的要求越來越嚴格，Arm 公司認為 64 位過渡已經(jīng)“完成任務”，不再需要支持 32 位應用。