ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFH4N100Q,IXFH4N100Q參數(shù)
2023-06-12 16:26 作者:強(qiáng)元芯 | 我要投稿
編輯-Z
IXFH4N100Q參數(shù)描述:
型號(hào):IXFH4N100Q
VDSS:1000V
VDGR:1000V
VGS:±20
ID25:4A
IDM:16A
PD:150W
TJ,Tstg:-55 to +150℃
Weight:6g
VGS(th):5V
IGSS:±100 nA
IDSS:50uA
RDS(on):3Ω
Ciss:1050pF
IS:4A
ISM:16A
VSD:1.5V
Trr:250 ns
?

IXYS先進(jìn)的低Qg工藝
低柵極電荷和電容
-更易于駕駛
-更快的切換
國際標(biāo)準(zhǔn)包裝
RDS低(打開)
額定無阻尼感應(yīng)開關(guān)(UIS)
模塑環(huán)氧樹脂符合UL94V-0可燃性分類

標(biāo)簽: