臺(tái)積電3nm露餡了：蘋(píng)果A17處理器性能慘遭縮水

#蘋(píng)果A17#臺(tái)積電

盡管只是3月份，但最近關(guān)于蘋(píng)果A17處理器的爆料接踵而至，GeekBench跑分甚至已有兩輪。

不過(guò)，爆料人Revegnus指出，可能出乎一些人預(yù)料，臺(tái)積電3nm的良率并不是很理想。

因此，蘋(píng)果基于3nm的A17處理器無(wú)法達(dá)到最激進(jìn)的性能目標(biāo)設(shè)定，不得不小縮水。

雖說(shuō)過(guò)去臺(tái)積電的制程工藝鮮有失手，但3nm時(shí)代一個(gè)不得不面對(duì)的問(wèn)題是，微觀層面依然是FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），這限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。

實(shí)際上，臺(tái)積電3nm也會(huì)是FinFET絕唱，三星已經(jīng)切換到GAA晶體管，Intel則會(huì)在20A（2nm）時(shí)導(dǎo)入類(lèi)似的RibbonFET晶體管。

此前，臺(tái)積電對(duì)3nm宣稱(chēng)可以節(jié)省35%能耗，到底在A17以及M3上能否成行，還需要事實(shí)說(shuō)話。

出處：快科技