基本參數(shù)

本文介紹VASP最重要的輸入文件: INCAR,該文件的設(shè)置最為復(fù)雜，它決定了VASP需要算什么，選擇什么算法、精度等關(guān)鍵信息。雖然INCAR文件包含的參數(shù)眾多，但絕大部分都有默認(rèn)值，甚至一個(gè)空白的INCAR文件也能使VASP進(jìn)行計(jì)算，但這樣只能完成最簡單的任務(wù)。一般建議在任何計(jì)算任務(wù)中都要手動(dòng)設(shè)置以下幾個(gè)重要參數(shù)。

(1) SYSTEM: 計(jì)算任務(wù)名稱，用戶自己指定，這個(gè)參數(shù)不影響任何計(jì)算結(jié)果。
(2) ENCUT: 平面波截?cái)嗄?，決定平面波的個(gè)數(shù)，即基組的大小。這是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了計(jì)算的精度。ENCUT越大，計(jì)算精度越高，但計(jì)算量會(huì)越大。VASP可以直接從POTCAR中得到每個(gè)元素默認(rèn)的截?cái)嗄?，并且取最大值作為整個(gè)計(jì)算ENCUT的默認(rèn)值。但是仍然建議用戶手動(dòng)輸入該數(shù)值。原則上最好測試截?cái)嗄芘c所關(guān)心的物理量之間的關(guān)系，以確保結(jié)果可靠。如果計(jì)算量允許,建議設(shè)置ENCUT為默認(rèn)值的1.3倍。特別是在做變原胞的結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí)，建議提高ENCUT至默認(rèn)值的1.3倍。
(3) PREC: 制計(jì)算精度的參數(shù)，它會(huì)影響多個(gè)參數(shù), 包括ENCUT、NGX、NGY、NGZ等。在一般的計(jì)算中，默認(rèn)選擇為PREC = Normal (VASP 5.X)或者M(jìn)edium (VASP 4.X)。但如果需要高精度計(jì)算時(shí)，如聲子計(jì)算，建議設(shè)置PREC =Accurate。
(4) EDIFF: 控制自洽優(yōu)化收斂的能量標(biāo)準(zhǔn)，即前后兩次總能量差如果小于這個(gè)值，則認(rèn)為自洽已經(jīng)完成。默認(rèn)值為10-4eV。
(5) ISMEAR和SIGMA:這兩個(gè)參數(shù)決定在做布里淵區(qū)積分時(shí),如何計(jì)算分布函數(shù)。ISMEAR常用的選擇為0、1、2和-5。其中ISMEAR=0表示使用Gaussian展寬，一般用于半導(dǎo)體或絕緣體,同時(shí)設(shè)置展寬大小SIGMA為一個(gè)較小的值，如 0.05 eV。ISMEAR=1或者2表示Methfessel-Paxton方法，一般用于金屬體系，同時(shí)可設(shè)置一個(gè)較大的SIGMA值，如0.2eV,保證VASP計(jì)算的熵一項(xiàng)的值小于1 meV/atom。在半導(dǎo)體和絕緣體中避免使用ISMEAR>0. ISMEAR=-5表示四面體積分，一般適合于高精確的總能量和態(tài)密度計(jì)算。四面體積分不需要設(shè)置SIGMA值。但是四面體積分方法在k點(diǎn)特別少時(shí)(如只有1個(gè)或者2個(gè))，或者在一維體系中不適用，而且四面體積分在金屬體系做結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí)會(huì)有明顯誤差(計(jì)算金屬材料的力時(shí)會(huì)有5%~10%的誤差)。綜上，建議在金屬中使用ISMEAR=1或者2, SIGMA=0.2左右;在半導(dǎo)體或者絕緣體中使用ISMEAR=0, SIGMA=0.05左右。計(jì)算態(tài)密度時(shí)使用ISMEAR= -5, 同時(shí)不設(shè)置SIGMA。默認(rèn)值為ISMEAR=1 和SIGMA=0.2.
(6) LREAL:這個(gè)參數(shù)決定投影算符在實(shí)空間還是在倒空間計(jì)算建議在做高精度計(jì)算時(shí),設(shè)置LREAL=.FALSE. , 否則在超過20個(gè)原子系統(tǒng)中可設(shè)置LREAL=Auto (VASP 4.4及以上版本)。默認(rèn)值是LREAL=.FALSE.

常用參數(shù)
以上參數(shù)建議每次計(jì)算都需要特別關(guān)注，并手動(dòng)設(shè)置。但上述參數(shù)基本只是對精度的控制，而不能完成更多的功能，如結(jié)構(gòu)優(yōu)化、磁性等計(jì)算.下面簡述INCAR中其他一些重要參數(shù)， 對于一些不常用或者基本不需要手動(dòng)設(shè)置的參數(shù)，參考VASP手冊。參考：https://www.vasp.at/wiki/index.php/INCAR

（1）KSPACING和KGAMMA: KSPACING參數(shù)可替代KPOINTS文件，它確定相鄰兩個(gè)k點(diǎn)的最小間距，單位為?-1。很顯然，KSPACING越小，k點(diǎn)越多。KGAMMA參數(shù)決定產(chǎn)生的k點(diǎn)網(wǎng)格是否包含|~點(diǎn)。KGAMMA=.TRUE. 表示括|~點(diǎn)，而KGAMMA=.FALSE.表示不包括|~點(diǎn)即采用Monkhorst-Pack方法。默認(rèn)值為KSPACING=0.5和KGAMMA= .TRUE.。

(2) NBANDS: 能帶數(shù)目，通常不用設(shè)置，VASP 會(huì)根據(jù)原胞中的電子數(shù)和離子數(shù)決定總的能帶數(shù)。但在有的計(jì)算中，如計(jì)算光學(xué)性質(zhì)時(shí)，需要手動(dòng)增加能帶數(shù)。

(3) ISPIN: 自旋極化計(jì)算開關(guān)。默認(rèn)值為ISPIN=1,即做非磁性計(jì)算; ISPIN=2,做自旋極化計(jì)算。如果做非共線磁結(jié)構(gòu)計(jì)算(LNONCOLLINEAR=.TRUE.),則不需要設(shè)置ISPIN參數(shù)。

(4) MAGMOM: 做磁性計(jì)算時(shí)的初始磁矩。在ISPIN=2時(shí)，每一個(gè)原子設(shè)置一個(gè)數(shù)值，中間用空格分開。如果是非共線磁結(jié)構(gòu)(LNONCOLLINEAR= .TRUE.)計(jì)算,則每一個(gè)原子需要設(shè)置3個(gè)數(shù)值,表示一個(gè)矢量。VASP計(jì)算中會(huì)自動(dòng)優(yōu)化磁矩的大小和方向。MAGMOM參數(shù)只能用于沒有提供初始電荷密度和波函數(shù)文件的初算(即從頭算起),或者用于有非磁波函數(shù)和電荷密度文件時(shí)的續(xù)算。后者意思是,先做一個(gè)非磁計(jì)算,保留電荷密度和波函數(shù)，然后設(shè)置ISPIN=2, ICHARG=1,MAGMOM=...參數(shù)開始磁性計(jì)算。從VASP 4.4.4 版本開始，VASP還會(huì)考慮磁結(jié)構(gòu)的對稱性。默認(rèn)值為所有原子或者每個(gè)原子每個(gè)方向都具有1UB的磁矩。

(5) ISTART:決定VASP程序是否在開始時(shí)讀入波函數(shù)，常用的設(shè)置有0、1和2。其中ISTART=0代表從頭開始計(jì)算，不讀入波函數(shù)文件。ISTART=1代表讀入已有波函數(shù)，并繼續(xù)計(jì)算，此時(shí)新計(jì)算的原胞大小和形狀可以和已有波函數(shù)中的不同，截?cái)嗄芤部梢圆煌? ISTART=2也代表讀入已有波函數(shù)，但截?cái)嗄芎驮疾荒芨淖?。ISTART有默認(rèn)設(shè)置，如果VASP程序開始時(shí)，沒有找到波函數(shù)WAVECAR,則ISTART=0，否則為1。因此通常不需要設(shè)置這個(gè)參數(shù)。

(6) ICHARG: 決定VASP程序是否在開始時(shí)讀入電荷密度，常用的設(shè)置有0、1、2和1.其中ICHARG=0代表從初始的軌道計(jì)算電荷密度: ICHARG=1代表讀入已有電荷密度文件CHGCAR,并開始新的自洽計(jì)算; ICHARG=2代表直接使用原子電荷密度的疊加作為初始密度; ICHARG=11代表讀入已有電荷密度，并進(jìn)行非自洽計(jì)算，通常用于電子能帶和態(tài)密度計(jì)算，在此過程中電荷密度保持不變。在非自洽計(jì)算時(shí)，特別是在做IDA+U計(jì)算時(shí)，建議設(shè)置LMAXMIX=4(對于d軌道元素)或者6(對于f軌道元素)。

(7) NELM、NELMIN和NELMDL: NELM為電子自洽的最大步數(shù),默認(rèn)值為60，通常設(shè)置為100。NELMIN為電子自洽的最小步數(shù),默認(rèn)值為2,在分子動(dòng)力學(xué)或者結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí)，可以考慮增大至4~8。NELMDL為非自洽的步數(shù)，主要用于從隨機(jī)波函數(shù)開始自洽的情況，正值表示每一 次電子自洽時(shí)都會(huì)延遲更新電荷密度,而負(fù)值表示只有第一次自洽時(shí)才做延遲，一般建議為負(fù)值。默認(rèn)值為-5、-12或者0。

(8) EDIFFG:設(shè)定結(jié)構(gòu)優(yōu)化的精度。當(dāng)EDIFFG為正值時(shí),表示前后兩次離子運(yùn)動(dòng)的總能量差小于EDIFFG時(shí)，結(jié)構(gòu)優(yōu)化停止。而EDIFFG為負(fù)值時(shí)，表示當(dāng)所有離子受力小于EDIFFG的絕對值時(shí)，結(jié)構(gòu)優(yōu)化停止。默認(rèn)值為EDIPFG的10倍，是正值,但建議總是使用力作為收斂條件，即建議設(shè)置EDIFFG為負(fù)值,如-0.02,單位為eV/A。特別在做聲子計(jì)算時(shí)，對原子平衡位置的受力非常敏感,建議結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí)設(shè)置EDIFFG為-0.001 eV/A,甚至更小。

(9) NSW:離子運(yùn)動(dòng)的最大步數(shù)，在做結(jié)構(gòu)優(yōu)化或者分子動(dòng)力學(xué)中設(shè)置。默認(rèn)值為0，即離子不動(dòng)。

(10) IBRION和NFREE:決定離子如何運(yùn)動(dòng)。IBRION為離子步弛豫（離子位置優(yōu)化）算法，IBRION=-1表示離子不動(dòng); IBRION=0表示第一性原理分子動(dòng)力學(xué)模擬; IBRION=1表示采用準(zhǔn)牛頓法進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化; IBRION=2表示使用共軛梯度法進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化; IBRION=3表示阻尼分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算; IBRION=5和6表示使用差分方法計(jì)算力常數(shù)和晶格振動(dòng)頻率，其中IBRION=5不考慮晶體對稱性，而是使所有原子沿著三個(gè)方向x、y、z都分別做小的位移，計(jì)算3N次能量(VASP 4.5 以上版本支持);而IBRION=6則考慮晶體對稱性，只要移動(dòng)不等價(jià)的原子和方向即可(VASP 5.1 以上版本支持)。當(dāng)IBRION = 6且ISIF > 3時(shí)，VASP還可以計(jì)算彈性常數(shù),此時(shí)一般需要提高平面波截?cái)嗄堋ｎ~外設(shè)置LEPSILON=.TRUE.:或者CALCEPS=.TRUE.還可以計(jì)算玻恩有效電荷、壓電常數(shù)和離子介電常數(shù): IBRION=7 和 8功能和IBRION=5和6類似，但采用密度泛函微擾理論計(jì)算力常數(shù)，同樣IBRION=7不考慮對稱性，而IBRION=8考慮對稱性。IBRION=5或6時(shí)，IBRION=7不考慮晶體對NFREE決定離子在每個(gè)方向上移動(dòng)的次數(shù)，移動(dòng)的距離由POTIM決定。如果NFRIRE=1,則表示在x、y或者z方向上都只做一次小的位移: 如果NFREE=2,表示離子在x、y或者z方向上都做一次正的和一次負(fù)的小位移(即移動(dòng)兩次);如果NFREE=4,則表示在x、y或者z方向上都要做4次小的位移。

(11) POTIM:在分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算(IBRION=0)時(shí)，POTIM為時(shí)間步長，單位為fs(飛秒),此時(shí)沒有默認(rèn)值。結(jié)構(gòu)優(yōu)化計(jì)算(IBRION =1,2,3.)時(shí)，POTIM為力的縮放因子，默認(rèn)值為0.5在。在IBRION=5或者6時(shí)，POTIM決定離子移動(dòng)的步長，單位為?.

(12) ISIF:確定應(yīng)力張量計(jì)算以及原子和原胞的優(yōu)化情況。ISIF=0表示不計(jì)算應(yīng)力張量，因?yàn)閼?yīng)力張量計(jì)算比較耗時(shí)，所以在分子動(dòng)力學(xué)模擬中默認(rèn)不計(jì)算應(yīng)力張量。在結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí)，ISIF=1,只計(jì)算總的應(yīng)力，此時(shí)只優(yōu)化離子位置，不改變原胞的體積和形狀。ISIF=2~7 時(shí)，計(jì)算應(yīng)力張量，其中ISIF=2表示只優(yōu)化離子位置,不改變原胞的體積和形狀; ISIF=3表示同時(shí)優(yōu)化離子位置、原胞形狀和體積; ISIF=4表示同時(shí)優(yōu)化離子位置和原胞形狀，但保持原胞體積不變; ISIF=5 表示不優(yōu)化離子位置和原胞體積，只改變原胞形狀; ISIF=6表示不優(yōu)化離子位置,但，優(yōu)化原胞形狀和體積; ISIF=6 表示不優(yōu)化離子位置和原胞形狀，只優(yōu)化原胞體積。在結(jié)構(gòu)優(yōu)化過程中比較常用的是ISIF=2 或者3。另外對于原胞體積變化的計(jì)算需要增加平面波截?cái)嗄堋?br>
(13) PSTRESS:外加應(yīng)力，單位為kbar (1 kbar=0.1 GPa)。

(14) ISYM和SYMPREC: ISYM確定是否打開對稱性，ISYM=1,2,3,在計(jì)算中打開對稱性，ISYM=-1,0, 關(guān)閉對稱性。SYMPREC決定VASP在找對稱性時(shí)的精度。VASP-PAW計(jì)算中默認(rèn)打開對稱性(ISYM=2)。

(15) TEBEG和TEEND:分子動(dòng)力學(xué)模擬時(shí)的初始和終了溫度。

(16) RWIGS:原子的維格納-塞茨（Wigner-Seitz）半徑，控制分態(tài)密度強(qiáng)度，自動(dòng)從POTCAR中讀取。

(17) LORBIT:總態(tài)密度投影，決定輸出PROCAR、PROOUT和DOSCAR文件的格式。不同的LORBIT表示輸出不同的文件以及文件中包含的內(nèi)容。詳見VASP手冊中的表格。常用LORBIT=11輸出包含lm投影的PROCAR和DOSCAR.

(18) NELECT:總電子數(shù)，由程序根據(jù)POTCAR中元素自動(dòng)計(jì)算原胞中的總電子數(shù),一般不用設(shè)置。通過手動(dòng)設(shè)置該參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對原胞中電子的增減，該參數(shù)可以是小數(shù)，但是無法將電荷指定在特定的原子上。

(19) NUPDOWN：自旋向上和向下的電子數(shù)的差。

(20) EMIN、EMAX和NEDOS:態(tài)密度計(jì)算時(shí)的能量最小值(EMIN)、最大值(EMAX)以及能量格點(diǎn)數(shù)(NEDOS)。NEDOS默認(rèn)為301，建議增加此數(shù)值,通常設(shè)置為1000-3000。

(21) GGA:交換關(guān)聯(lián)勢的類型，VASP會(huì)根據(jù)POTCAR自動(dòng)確認(rèn)，一般不用手動(dòng)設(shè)置。

(22)GCA_COMPAT:建議在GGA計(jì)算中設(shè)置為GGA_COMPAR=.FALSF.。

(23) METAGGA: meta-GGA計(jì)算，可選的類型有TPSS、RTPSS、M06L、MBJ。其中MBJ泛函可以獲得比較準(zhǔn)確的能隙，計(jì)算量比雜化泛函GW方法小很多。在最新的VASP 5.4.4版本中，還增加了SCAN泛函。

(24) ALGO: 電子最優(yōu)化的算法，即決定求解能量本征值的算法。默認(rèn)為ALGO=Normal,即使用blocked Davidson迭代法。ALGO=very_Fast 表示使用RMM-DIIS方法。ALGO= Fast 為前兩者的混合，即前面幾步使用IDavidson方法,后面采用RMM-DIIS方法。ALGO=Conjuggate或者All表示使用共軛梯度算法。ALGO=Exact表示使用嚴(yán)格對角化方法。

(25) LWAVE和LCHARG: 確定是否輸出波函數(shù)和電荷密度文件。

(26) IVTOT: 是否輸出總的局域勢(total local potentia) 函數(shù)，從VASP 5.2.12版本開始，LVTOT=.TRUE. 表示輸出總的勢函數(shù)，包括交換關(guān)聯(lián)勢。輸出文件名為LOCPOT。

(27) LVHAR: 從VASP 5.2.12 版本開始，LVHAR-=.FALSE.表示輸出總的局域勢函數(shù)(離子、Hartree 勢和交換關(guān)聯(lián)勢)，LVHAR=.TRUE.表示只輸出離子和Hatte勢(不輸出交換關(guān)聯(lián)勢)，后者可用于功函數(shù)的計(jì)算。默認(rèn)值為IVHAR=FALSE.

(28) LELF: 是否輸出電子局域函數(shù)(electron lcalization fuction),默認(rèn)值為LELF=FALSE.

(29) LCORELEVEL: 計(jì)算芯電子能級，可以為1或者2,表示兩種不同的算法。

(30) LNONCOLLINEAR: 非共線磁結(jié)構(gòu)計(jì)算。進(jìn)行非共線磁結(jié)構(gòu)計(jì)算時(shí)，可以不加自旋軌道耦合，默認(rèn)為False。

(31) LSORBIT: 自旋軌道耦合計(jì)算，默認(rèn)為False. 如果設(shè)置LSORBIT=.TRUE.,則VASP會(huì)自動(dòng)設(shè)置LNONCOLLINEAR=.TRUE.同時(shí)注意設(shè)置MAG-MOM SAXIS和GGA COMPAT(=False)等參數(shù)。

(32) I_CONSTRAINED_M: 通過引入懲罰項(xiàng)以限制磁矩方向和大小。I_CONSTRAINED_M=1只限制磁矩方向，I_CONSTRAINED_M=2同時(shí)限制磁矩大小和方向。

(33) LDAU: 針對強(qiáng)關(guān)聯(lián)系統(tǒng)進(jìn)行L(S)DA+U計(jì)算，需結(jié)合LDAUTYPE、LDAUL、LDAUU、LDAUJ、LDAUPRINT等參數(shù)。

(34) IVDW:一種范德華力計(jì)算方法，計(jì)算中增加范德瓦耳斯相互作用，IVDW=0表示不加范德瓦耳斯相互作用，而IVDW> 0則可以選擇不同的方案,詳見VASP手冊。

(35) LUSE_VDW: 另外一類范德瓦耳斯相互作用方案，一種范德華力計(jì)算方法，使用該方法會(huì)修改DFT內(nèi)的能量計(jì)算。詳見VASP手冊。

(36) LPARD: 能帶分解電荷密度,需結(jié)合IBAND、EINT、NBMOD、KPUSE、LSEPB、LSEPK等參數(shù)。

(37) LBERRY: 使用Berry 相位方法計(jì)算電子極化和玻恩有效電荷,需結(jié)合IGPAR、NPPSTR和DIPOL等參數(shù)。

(38) LCALCPOL: 從VASP 5.2版本開始，設(shè)置LCALCPOL=.TRUE.使用Berry相位計(jì)算電子極化，比使用LBERRY方法更方便。

(39) EFIELD_PEAD: 對絕緣體加均勻電場，單位為eV/?。

(40) LCALCEPS: 通過加電場方法計(jì)算靜態(tài)介電常數(shù)、玻恩有效電荷張量和壓電張量。

(41) LHFCALC: 進(jìn)行Hartre-Fock或者雜化泛函計(jì)算。

(42) LOPTICS: 計(jì)算頻率依賴的介電函數(shù)的實(shí)部和虛部。

(43) LEPSILON: 使用密度泛函微擾理論計(jì)算靜態(tài)介電常數(shù)、壓電張量和玻恩有效電荷。

身為一門材料計(jì)算的學(xué)生，最讓我們頭疼的問題就是參數(shù)設(shè)置的問題，以上繁雜的參數(shù)記起來耗時(shí)耗力，vim或者本文編輯復(fù)雜費(fèi)力，而MatCloud+通過勾選的方式，只需要?jiǎng)觿?dòng)鼠標(biāo)，就可以輕松實(shí)現(xiàn)參數(shù)設(shè)置。且平臺將結(jié)構(gòu)優(yōu)化、靜態(tài)計(jì)算和能帶計(jì)算等功能組件化，直接拉取即可使用。只需根據(jù)需要修改參數(shù)值，點(diǎn)點(diǎn)鼠標(biāo)就可以進(jìn)行自旋、磁性或LDA+U等性質(zhì)分析，大大降低vasp計(jì)算使用難度。

MatCloud+平臺僅通過瀏覽器就可使用，無需下載任何軟件就可以完成計(jì)算。MatCloud+作為國內(nèi)首家正式上線的材料高通量計(jì)算平臺，將傳統(tǒng)計(jì)算方法簡易化，幫助更多的人快速開展計(jì)算模擬，大大提高了工作效率。MatCloud+平臺將工作流由功能組件鏈接構(gòu)成，然后對每個(gè)組件進(jìn)行相應(yīng)的參數(shù)設(shè)置即可。

計(jì)算參數(shù)在MatCloud+的設(shè)置

在計(jì)算過程中，登錄MatCloud+平臺，登錄后顯示為模擬版塊，在模擬版塊中，完成新建項(xiàng)目（自定義命名）→新建工作流（自定義命名）→在右側(cè)白板通過組件拖拽的方式設(shè)計(jì)工作流→對組件進(jìn)行參數(shù)設(shè)置→提交計(jì)算→結(jié)果查看。

以結(jié)構(gòu)優(yōu)化為例，通過MatCloud+—【模擬】—【VASP】—【結(jié)構(gòu)優(yōu)化】，介紹具體的參數(shù)設(shè)置，如圖1所示，首先單擊通用導(dǎo)入組件按鈕[…]，擊“參數(shù)設(shè)置”按鈕，從數(shù)據(jù)庫導(dǎo)入結(jié)構(gòu)。

成功導(dǎo)入結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化參數(shù)設(shè)置，如圖2所示，單擊結(jié)構(gòu)優(yōu)化組件的按鈕[…]，點(diǎn)擊“參數(shù)設(shè)置”按鈕

右側(cè)彈出設(shè)置頁面，在Geometry Optimization中設(shè)置計(jì)算的基本參數(shù)以及收斂標(biāo)準(zhǔn)（圖3）

在General Setting設(shè)置其精度、平面波動(dòng)能截?cái)郲ENCUT]和交換相關(guān)泛函等相關(guān)參數(shù)（圖4）

在SCF設(shè)置電子弛豫的基本參數(shù)（圖5）

還可在Customized下添加其他INCAR參數(shù)（圖6）

參數(shù)設(shè)置完成后點(diǎn)擊右上方的“提交“按鈕，如圖7所示，提交計(jì)算。計(jì)算結(jié)束后在計(jì)算結(jié)果頁面可查看計(jì)算結(jié)果。

公司介紹

北京邁高材云科技有限公司是中國新材料研發(fā)數(shù)字化領(lǐng)軍企業(yè)，專注于材料科學(xué)領(lǐng)域數(shù)字化的開拓與創(chuàng)新，公司在中科院大力推動(dòng)下組建，核心產(chǎn)品“MatCloud+材料云”經(jīng)過團(tuán)隊(duì)十余年的打造，形成了集材料數(shù)據(jù)庫、高通量計(jì)算篩選、多尺度模擬計(jì)算、人工智能技術(shù)、智能實(shí)驗(yàn)的“計(jì)算、 數(shù)據(jù)、AI、實(shí)驗(yàn)”四位一體的材料領(lǐng)域數(shù)字化解決方案，為我們的政府、企業(yè)、院校客戶在研發(fā)效能和數(shù)字化轉(zhuǎn)型上全面提升價(jià)值。

1.MatCloud+平臺具有圖形化可視化的操作界面，支持調(diào)用多種量子力學(xué)（第一性原理）、經(jīng)典分子力學(xué)動(dòng)力學(xué)方法模擬軟件如VASP、Gaussian、LAMMPS、QE等實(shí)現(xiàn)高通量、高并發(fā)計(jì)算。平臺重新定義并統(tǒng)一了所集成模擬軟件的操作方式，通過將模擬軟件功能（如結(jié)構(gòu)優(yōu)化、熱力學(xué)性質(zhì)、力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)）組件化呈現(xiàn)，拖拽組件搭建模擬預(yù)測流程（工作流），實(shí)現(xiàn)了模擬計(jì)算全流程自動(dòng)化。

2.MatCloud+可以分享和復(fù)制已有的工作流，實(shí)現(xiàn)工作流的快速復(fù)用。也能修改平臺自帶組件的默認(rèn)參數(shù)值，并將新參數(shù)值保存為默認(rèn)參數(shù)，形成定制化組件。同時(shí)也具備可視化作業(yè)管理、監(jiān)控、查看、統(tǒng)計(jì)等功能，對工作流計(jì)算生成的模擬物性數(shù)據(jù)以及實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)管理、檢索、分析、挖掘。

3.MatCloud+平臺具有豐富的機(jī)器學(xué)習(xí)算法組件，拖拽組件搭建AI預(yù)測流程，實(shí)現(xiàn)機(jī)器學(xué)習(xí)全流程（數(shù)據(jù)上傳、數(shù)據(jù)預(yù)處理、特征工程、模型訓(xùn)練、模型評估）自動(dòng)化，構(gòu)建材料“結(jié)構(gòu)-成分-工藝-性能”的關(guān)系模型。

4.MatCloud+以云計(jì)算方式使用戶無需安裝軟件，使用瀏覽器，通過賬號登錄，即可調(diào)用多個(gè)國家超算資源，進(jìn)行材料結(jié)構(gòu)模型搭建、模擬材料關(guān)鍵性能指標(biāo)。

邁高科技在材料數(shù)字化研發(fā)和設(shè)計(jì)領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積淀和領(lǐng)先的市場份額，在國內(nèi)已有超5000家材料科學(xué)領(lǐng)域企業(yè)、院校選擇邁高科技的產(chǎn)品和服務(wù)，來自港澳臺及海外的注冊用戶已超300家材料科學(xué)領(lǐng)域知名院校和企業(yè)，致力于成為中國最有價(jià)值的新材料研發(fā)數(shù)字化服務(wù)提供商。