大家都聽說過光刻機，在制造芯片領域可以發(fā)揮出不可替代的作用，這款高科技的核心技術被西方長期封鎖，但很少有人清楚光刻機的核心部件也被中國長期壟斷，這就是全球僅中國掌握，重要性不輸稀土，并被國家封鎖不允許出口，而且還讓美國花了15年才攻克的高科技領域，它就是KBBF晶體，這種材料的全稱叫做氟代硼鈹酸鉀晶體，是已知地球上一種可以直接倍頻產生深紫外激光的非線性光學晶體。

必須通過它，才能將普通的激光轉化為176納米的深紫外波長激光，然后才能用于科研和生產深紫固體激光器。KBBF晶體能夠在物理、化學、材料、信息、生命學等多個領域創(chuàng)造出難以想象的巨大價值和應用前景，通過KBBF晶體技術，中國已經研發(fā)出大量先進高端精密儀器，比如光電子能譜儀，是一種可以分析物體表面各種元素的精密儀器。

再比如光電子發(fā)射顯微鏡，能夠觀察到物體表面發(fā)射的電子波，能夠獲得化學成分和磁性信息，以及極高分辨率的物體表面形貌，可以更加清晰的看到物體表面的納米級別的東西。這些先進的儀器對于研發(fā)石墨烯，高溫超導體都有巨大的作用，如果沒有KBBF晶體，很多前沿科技研究都將落后于人，因此KBBF晶體對于推動前沿科技研究有無可替代的作用。

那么KBBF晶體還有什么作用呢？都知道想要發(fā)展芯片必須要有光刻機，而EUV光刻機是當前最先進的一種，而中國僅能掌握DUV光刻機，兩者的區(qū)別是前者采用極紫外光，后者采用深紫外光，由于極紫外光波長更短更薄，更利于制作芯片，因此明顯強于采用深紫外光的DUV光刻機，這就必須提到目前國產的非線性光學晶體KBBF。

KBBF晶體屬于倍頻晶體，就是讓光線的頻率加倍，當低頻率的光射入晶體后，加倍轉化為高頻率光輸出，從而讓較長的光波轉換為較短的光波，就可以讓DUV光刻機的波長變短，都知道EUV光刻機可以生產出先進的7納米或5納米制程的芯片，EUV的波長是10-15納米，DUV的波長在200納米左右，當DUV光刻機采用KBBF晶體后，可以讓波長控制在150納米的范圍，雖然不能直接媲美EUV光刻機，但也大幅提升了國產光刻機的性能。

早在上世紀80年代陳創(chuàng)天課題組就已經研究出KBBF晶體技術，可以說中國從來不缺乏尖端的人才，比較可惜的是，美國通過15年追趕，已經不被中國卡脖子了，然而在KBBF晶體領域我們依然處于領先地位，美國機構在獲得這一晶體技術后分析稱，其作用不僅局限于推動前沿科技的研究，還能推動國防探測的能力，大幅提升衛(wèi)星系統(tǒng)，雷達的探測性能。