牛津儀器開發(fā)SiC襯底加工新方法
牛津儀器開發(fā)SiC襯底加工新方法
近日,英國半導(dǎo)體設(shè)備廠商Oxford Instruments(牛津儀器)宣布開發(fā)了全新的SiC襯底加工新工藝,并驗(yàn)證了兼容HVM的SiC襯底等離子拋光工藝能夠很好地替代化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝,同時(shí)還可以緩解與CMP工藝相關(guān)的重要技術(shù)、環(huán)境和供應(yīng)鏈問題。
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