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美光B47R閃存一出,英特爾要坐不住了

2021-05-25 22:17 作者:存儲極客  | 我要投稿

美光新閃存暴露英特爾PCIe 4.0缺陷:讀取速度比AMD慢了285MB/s!

?自從英特爾和美光在閃存制造方面分道揚鑣之后,美光就沒少坑英特爾,先是威脅要賣掉唯一能制造3D XPoint閃存的工廠(英特爾需要該閃存制造傲騰SSD和持久內(nèi)存),現(xiàn)在又通過176層堆疊的B47R閃存讓英特爾尷尬了一把。下圖就是采用美光B47R閃存的PCIe 4.0固態(tài)硬盤,目前處于上市前的工程樣品階段。

英特爾剛剛通過11代酷睿Rocket Lake將PCIe 4.0接口帶到了自己的消費級電腦平臺上,終于是追上了AMD在硬盤吞吐性能上的速度,甚至還利用CPU節(jié)能關閉得比較到位的優(yōu)勢,在4K隨機讀寫上性能上取得大幅領先。

但B47R閃存的出現(xiàn),暴露了英特爾11代酷睿的一個缺陷:PCIe Payload Size只有256字節(jié),而AMD平臺則是512字節(jié)。受此影響,同一顆固態(tài)硬盤在AMD平臺上的順序讀取速度將比英特爾平臺快出285MB/s!

為什么之前沒有人發(fā)現(xiàn)英特爾的這個問題,直到美光B47R閃存推出后才被曝光呢?簡單來說這是閃存接口速率的影響。

包括三星980PRO和西數(shù)SN850在內(nèi)的旗艦級PCIe 4.0固態(tài)硬盤所用的閃存接口都是1200MT/s規(guī)格的,8通道下恰好能發(fā)揮出7000MB/s出頭的讀取速度,英特爾的256字節(jié)Payload Size也看不出異樣。而美光B47R的閃存接口速度達到了1600MT/s,8通道主控下PCIe 4.0 x4成為瓶頸,特別是Payload Size只有256字節(jié)的英特爾平臺由于額外帶寬開銷更大,受到的影響更為明顯。

雖然順序讀寫速度因為自身缺陷而出現(xiàn)短板,英特爾的CPU目前還具備延遲上的優(yōu)勢,所以無論是4K隨機讀寫速度還是PCMark 8/10存儲測試,依然是英特爾平臺大幅領先。只有等英特爾在第12代酷睿Alder Lake中支持512字節(jié)的PCIe Payload Size,才能補足順序讀寫速度這一短板,真正趨于完善。

回到美光這個新閃存上來,B47R是美光第二代RG替換門架構閃存,176層堆疊,讀寫延遲相比上代閃存降低35%,ONFi閃存接口帶寬提升33%。

美光176層閃存用在PCIe 4.0 x4接口下是有些性能過剩的,8通道配置下它可提供大約9500MB/s的閃存到主控數(shù)據(jù)傳輸帶寬,或許PCIe 4.0 x8的企業(yè)級固態(tài)硬盤,或者未來PCIe 5.0 x4的下一代消費級固態(tài)硬盤(今年應該是沒戲了)才能充分發(fā)揮它的潛能。

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