NI溫度采集卡PXle-4357?782118-01路電源抑制能力的方法有兩種： 1.電源路徑增加濾波；福建中海德公司陳陳 1800-500-6971 如圖2.67。通常為電解電容、陶瓷電容的組合，部分情況可能增加鐵氧體磁珠。其中，C1用作瞬態(tài)電流的電荷庫抑制低頻噪聲，通常為10~100μF的電解電容。C2用作抑制高頻電源噪聲，通常為0.01~0.1μF低電感表面貼裝陶瓷電容，并且PCB布局位置緊鄰IC電源引腳擺放，然后通過短線路連接到大面積、低阻抗的地平面才能有效。 ?PCI-MIO-16E-4?(6040E)?NI?DAQ?Card SCXI?1000?4-slot ELVIS?USB-6251?Bundle?(Academic) PCI-MIO-16XE-10?DAQ ts,?FP-PWM?520?Module,?8Ch t?cFP-TC-120?and?cFP-CB-3 PCI-GPIB?IEEE?488.2 VMI-MXI?Module?181045-01?Rev?E4 NI?PCI-6013?16-bit?analog?DAQ GPIB-1014?VME?Controller?Card 181060-01?AT-GPIB?Card?IEEE?488.2 PCI-5102?Digitizer?Scope?DAQ?Card AT-GPIB/TNT?Plug?&?Play?IEEE?488.2 圖2.67電源去耦電路 2.放大器優(yōu)先使用線性電源進行供電。 在選擇線性電源時需要,重點關(guān)注開關(guān)電源的頻率以及待選線性電源在該頻率附近的電源抑制比性能。 如圖4.2（a）是廣大工程師所熟知的LDO?1117電源抑制比與頻率關(guān)系，可見1117在1KHz處電源抑制比強，達到84dB,頻率為100KHz的電源抑制比僅為40dB，高于100KHz的電源抑制比性能沒有提供。