2020年4月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

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作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

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此次同時發(fā)布的還有128層512GbTLC（3bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

長江存儲X2-6070128LQLC1.33Tb 3D NAND

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長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking2.0時代的到來，長江存儲有決心，有實力，有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢，達(dá)到互利共贏?！?/p>

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Xtacking2.0進(jìn)一步釋放閃存潛能

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得益于Xtacking架構(gòu)對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)，上市之后廣受好評。

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在長江存儲128層系列產(chǎn)品中，Xtacking已全面升級至2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2VVccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking2.0還為3D NAND帶來更佳的擴(kuò)展性。未來，長江存儲將與合作伙伴攜手，構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。