我們希望米勒平臺(tái)的時(shí)間短，但是往往容易出現(xiàn)震蕩，反而發(fā)熱更大。另一方面，如果米勒平臺(tái)時(shí)間短，對于高壓管子來說，開通時(shí)dv/dt大，所包含的諧波分量就大。

什么是諧波分量呢？任何一個(gè)波形都可以用若干個(gè)正弦波進(jìn)行疊加，那么，我們MOSFET由于米勒平臺(tái)時(shí)間短，dv/dt就很大，就表示開關(guān)波形的沿越陡，棱角越分明。一般我們所說的基波是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正弦波，dv/dt產(chǎn)生的開關(guān)波形，可以由這個(gè)基波和很多個(gè)高次諧波分量的正弦波疊加。如果沿越陡，諧波分量就越多；如果沿越緩，諧波分量就越少。諧波分量其實(shí)是一個(gè)輻射源，如果dv/dt越緩，那么諧波分量越少，EMC更加容易通過。

那么，高壓管子的平臺(tái)時(shí)間多少合適呢？高頻載波的話，米勒平臺(tái)時(shí)間在300ns~1us，那么1us可能發(fā)熱會(huì)大一些，具體要看封裝和Id電流的大小，如果最后測試下來，溫度能接受，那也是可以的。那么如果MOSFET只用于電源上電和斷電時(shí)的開關(guān)來用，那么這個(gè)平臺(tái)時(shí)間長一點(diǎn)也沒關(guān)系，畢竟是低頻的。

對于低壓管子來說，由于GS電容偏大，所以Igs電流要大，柵極電阻要更小，建議10R~100R。也就是說，雖然低壓的管子GS電容大，但是柵極電阻小，米勒平臺(tái)的時(shí)間也不會(huì)太長。

那么，低壓管子的平臺(tái)時(shí)間多少合適呢？可以更小一些，90ns~300ns。這些都是個(gè)人的一些看法，不代表權(quán)威性，要根據(jù)自己的項(xiàng)目各自評(píng)估。

那么關(guān)于高壓管子和低壓管子，具體的米勒平臺(tái)的時(shí)間，還需要看Vgs波形是否震蕩為準(zhǔn)。

尤其在MOSFET用于上下橋互補(bǔ)斬波的時(shí)候，可能會(huì)出現(xiàn)一些問題。什么是上下橋互補(bǔ)斬波呢？

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上面這幅圖就是上下橋互補(bǔ)輸出，意思就是上下管不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就短路了。上管開通時(shí)，下管就要關(guān)閉；下管開通時(shí)，上管也要關(guān)閉，這就是互補(bǔ)輸出的含義。

如果驅(qū)動(dòng)上管的PWM信號(hào)是S1，驅(qū)動(dòng)下管的PWM信號(hào)是S2。

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那么S1為低，S2為高；S1為高，S2為低。同時(shí)，我們也知道，MOSFET的開通和關(guān)斷都是有延時(shí)的，再加上剛剛說的MOSFET開通或關(guān)斷出現(xiàn)震蕩，那么，有可能出現(xiàn)上下互通的情況。一般我們避免這種情況發(fā)生，會(huì)加一個(gè)死區(qū)。

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可以讓開通延時(shí)，下降時(shí)間不變。這就是我們互補(bǔ)輸出方式。

在GS波形正常情況下，上面這個(gè)電路是沒有問題的。但是由于GD之間是有電容的。

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假設(shè)我們的管子開通快，關(guān)斷也快。另外，我們前面也講到過，GD之間的米勒電容Cgd與漏極電壓有關(guān)。那么接下來，討論在死區(qū)期間，其中一個(gè)管子開通的一瞬間，對另一個(gè)管子GS波形的影響。

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在死區(qū)期間，C4 和C7是如何分壓的?。縈點(diǎn)實(shí)際上是分壓了Vbus的一半是吧，這里M點(diǎn)在死區(qū)期間的電壓是155V。

假設(shè)死區(qū)時(shí)間過后，上管先導(dǎo)通的瞬間，M點(diǎn)的電壓從155V變成310V，有一個(gè)很高的dv/dt，而且瞬間會(huì)留下來一個(gè)很大的電流，那么理想情況下肯定是往負(fù)載那邊流走，但事實(shí)上，會(huì)通過C5電容流到S2端，同時(shí)也會(huì)經(jīng)過C6流到地。這是因?yàn)橄鹿荜P(guān)閉，S2為0V，C6相當(dāng)于短路，但更主要的電流還是流過C6。

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那么，既然對C6電容進(jìn)行充電，C6的電壓就會(huì)往上升，就有可能導(dǎo)致達(dá)到下管的開通閾值電壓，那么下管會(huì)誤導(dǎo)通。