研究摘要

MXene相鄰層之間的插層離子可以改變層間環(huán)境并對電化學離子存儲容量的產(chǎn)生影響。為了進一步探究MXene層限域的多離子效應與電化學儲能之間的關系，向Al3+預插層的MXene中通過自發(fā)過程嵌入Co2+，Mn2+與Ni2+?；冢?02）晶面取向的移動發(fā)現(xiàn)，插層的多離子通過應力可以調(diào)控MXenes的層間環(huán)境，從而誘導c軸上的晶格收縮?？紤]到離子存儲的機理-性能之間的關系，多離子在MXene層間空間的占位能夠影響電化學性能。該工作為多離子與MXene之間的關系提供新的見解。該工作由吉林師范大學Shichong Xu、魯銘、中科院沈陽金屬所張炳森教授研究團隊發(fā)表在《Particuology》期刊上。

圖文導讀

總結(jié)

? ? ??在MXene相鄰層的限域空間內(nèi)，多離子通過靜電相互作用成功地嵌入到Al離子預嵌入的Ti3C2Tx?MXene中。這些離子的插層可以保留MXene的2D特征，并為原子級層間環(huán)境的調(diào)控提供了一種新的方法。多離子在MXene層間的存在會形成空間位阻與靜電勢壘，以傳輸并存儲電解液離子。對多離子與MXene相互關系的探究能夠為插層電極的設計提供指導。