玩轉(zhuǎn)質(zhì)譜|27|：質(zhì)譜關(guān)鍵參數(shù)解答
前言
當(dāng)我第一次看到LC-MS方法時(shí)，我對(duì)MS設(shè)置中的各種縮寫(xiě)參數(shù)感到困惑，找不到一個(gè)好的指南來(lái)為初學(xué)者介紹所有內(nèi)容，雖然每次都能從儀器工程師那得到部分解答，但告知的也并不全面，也有可能跟提問(wèn)的方式與角度有關(guān)吧。因此，才有了“學(xué)習(xí)交流”與“玩轉(zhuǎn)質(zhì)譜”這些系列文章，并希望它能成為一本很好的小冊(cè)子，讓其他人邁出攀登方法開(kāi)發(fā)“山峰”的第一步。
現(xiàn)在就讓我們一起看下三重四極桿MS配置中的一些關(guān)鍵參數(shù)所代表的意思吧，它又有什么作用。
液質(zhì)相關(guān)參數(shù)示意圖
源相關(guān)參數(shù)
GS1（霧化器氣體）：這是有助于液滴形成的氣體。它有助于從入口流中剪切液滴。
GS2（加熱氣體）和TEM（源溫）：TEM是與輔助氣體加熱相關(guān)的溫度設(shè)置。當(dāng)?shù)獨(dú)饬鬟^(guò)時(shí)，它被加熱并作為GS2（加熱氣體）流出。TEM和GS2的使用可促進(jìn)脫溶劑化，并有助于離子蒸發(fā)過(guò)程最終冷凝帶電分析物，產(chǎn)生氣相離子。
IS（離子噴霧電壓）：這是施加在針和孔板之間的電壓。產(chǎn)生的強(qiáng)電場(chǎng)最終將形成的離子拉入分析儀。
CUR（簾式氣體）：這是窗簾板和孔口之間的氣流。它排斥溶劑液滴和中性物質(zhì)，以防止源污染并保持Q0清潔。此參數(shù)應(yīng)盡可能保持高，而不會(huì)失去靈敏度。
IHE（界面加熱器）：界面加熱器有助于最大化離子信號(hào)并防止離子光學(xué)元件污染。對(duì)于生物分析方法，它幾乎應(yīng)該始終打開(kāi)。
掃描參數(shù)
DP（去簇電位）：DP對(duì)應(yīng)于施加到孔口的電壓，以最大限度地減少樣品離子進(jìn)入真空室后可能殘留在樣品離子上的溶劑簇。離子將通過(guò)去團(tuán)聚電位加速，以獲得足夠的能量并敲除剩余的溶劑分子。然而，更高的DP并不總是更好。不必要的高電位可能會(huì)引起不必要的碎片，甚至響應(yīng)的線性也可能因使用非最佳設(shè)置而受到影響。
EP（入學(xué)潛力）：這是Q0電壓與地之間的電位差。它用于引導(dǎo)和聚焦離子通過(guò)Q0區(qū)域。EP 對(duì)系統(tǒng)優(yōu)化的影響很小。
CE（碰撞能量）：這是Q0和Q2（碰撞單元）之間的電位差。前體離子接收能量并加速進(jìn)入碰撞池，在那里它們與氣體分子（CAD氣體）碰撞并形成碎片離子。碰撞能量越高，引起的碎片就越多。
CAD（碰撞氣體）：?碰撞氣體有助于破碎前體離子。當(dāng)前體離子與碰撞氣體碰撞時(shí)，它們可以解離形成產(chǎn)物離子。
CXP（碰撞單元退出電位）：CXP 聚焦、加速并將離子從 Q2 傳輸?shù)?Q3。
小結(jié)
這些參數(shù)在很大程度上取決于給定化合物的物理化學(xué)性質(zhì)，必須進(jìn)行優(yōu)化，尤其是DP、CE和CXP。設(shè)置也因供氣的性質(zhì)和儀器制造商而異。此外，每個(gè)人都有自己的習(xí)慣和偏好，這可能會(huì)影響最終的設(shè)置。每個(gè)參數(shù)的典型值和工作范圍可在制造商的系統(tǒng)用戶(hù)指南中找到。
【每周分享-01】液質(zhì)中的去族電壓（DP）和裂解電壓（CE）
【每周分享-02】液質(zhì)參數(shù)中 event/loop/dwell time 的相互關(guān)系
【每周分享-03】 切換閥的使用方法
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液質(zhì)分析方法開(kāi)發(fā)【基礎(chǔ)篇】——質(zhì)譜條件優(yōu)化
在這里也只是“拋磚引玉”，希望能夠?qū)Υ蠹矣兴鶐椭?br>
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文|我愛(ài)吃蝦
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