摘要：蝕刻表面的選擇性意味著將被蝕刻的膜、覆蓋它的掩膜或抗蝕劑與膜的底層之間的蝕刻速率之間的差異。蝕刻表面時，首選高選擇性，因為這可以減少底層的損壞將被蝕刻的表面下方的表面，或保護抗蝕劑免受損壞（這很重要，因為抗蝕劑覆蓋了不應發(fā)生蝕刻的表面部分）。如果不是完美的各向異性表面。另一方面，PE 會因底切而導致臨界尺寸損失，但具有很大的選擇性并且是一個快速過程（化學物質只能擴散到某些表面以形成揮發(fā)性產物）。然后RIE具有物理和化學的優(yōu)點和優(yōu)勢，它具有蝕刻速度快，選擇性高，并導致完美的臨界尺寸。

等離子體由亮區(qū)和暗區(qū)組成。電子在經歷激發(fā)或弛豫時會發(fā)光。如圖 2 所示，這些區(qū)域通常來回交替，因為電子在陰極開始時沒有足夠的能量用于激發(fā)，但在遠離陰極加速獲得這些能量，從而產生第一個輝光區(qū)域，陰極發(fā)光。當電子被激發(fā)時，它會在同一過程中失去能量，從而產生第二個暗區(qū)，即陰極暗區(qū)，該過程來回切換。

這些區(qū)域分為兩部分，陽極層和陰極層。陽極層從正極柱開始到陽極暗區(qū)。正極幾乎沒有正離子，電場為電子提供足夠的能量使其通過激發(fā)和弛豫，從而產生柔和的輝光。與正極柱a相比，陽極輝光是更亮的區(qū)域，因為該區(qū)域的電場更強。當電子進入陽極時，陽極暗空間沒有足夠的電子來提供足夠的激發(fā)來發(fā)光，從而導致另一個暗空間 b。