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氨功能化納米片摻雜Ce(III)作為自療環(huán)氧納米復(fù)合涂層的有效納米容器,用于低碳鋼的腐

2021-11-12 11:09 作者:北科納米  | 我要投稿


一、文章概述

MXene薄片作為新型的二維納米材料,由于其優(yōu)越的薄層結(jié)構(gòu),以及作為新型納米容器的能力,已被應(yīng)用于許多先進的應(yīng)用。本研究采用蝕刻法合成了插入的Ti3C2MXene薄片,然后用3-aminopropyltriethoxysilane(APTES)進行修飾。將鈰陽離子(Ce3+)作為一種環(huán)保緩蝕劑封裝在Ti3C2MXene薄片中,制備新型自愈合環(huán)氧納米復(fù)合涂層。利用電化學(xué)阻抗譜(EIS)和電動力學(xué)極化測量,研究了摻雜Ce3+的Ti3C2MXene納米片(Ti3C2MXene-Ce3+)在3.5%氯化鈉(氯化鈉)溶液中的耐腐蝕保護性能(CPP)。采用EIS、鹽噴霧和場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)技術(shù),對含1wt%未摻雜和摻雜ti3c2MXene的環(huán)氧樹脂涂層的自愈合CPP進行了評價。與對照樣品相比,將腐蝕性溶液中引入Ti3C2MXene-Ce3+和人工切割環(huán)氧涂層后,總阻抗分別從717到6596Ωcm2和8876提高到32092Ωcm2。


二、圖文導(dǎo)讀


圖1.ti3c2MXene的合成、表面改性和封裝示意圖。



圖2.制備的Ti3AlC2(a)和Ti3C2MXene(b)-Ti3AlC2在50°C30min處理30)前后的FE-SEM-XRD模式結(jié)果。



圖3.制備的Ti3C2MXene(a和c)的HRTEM圖像;層狀結(jié)構(gòu)Ti3C2TxMXene的原子晶體結(jié)構(gòu)(b),Ti3C2TxMXene的頂視圖(d),Ti3C2TxMXene的C、Ti、O和F元素的高分辨率XPS譜(e)。



圖4.Ti3C2MXene-Ce3+(a1和a2)的HRTEM圖像、Ti、F、C、Si、N、O、Ce元素的元素映射(b),以及Si2p、N1s、Ce3d5/2、Ce3d5/2和Ce3d3/2信號的高分辨率XPS光譜(c)。



圖5.UMXene、MMXene和Ti3C2MXene-Ce3+的FT-紅外光譜(a)、TGA(b)和DTG(c)熱圖。



圖6.3.5wt%氯化鈉溶液中Ti3C2MXene-Ce3+ene-Ce3+與MMXene時間和ζ電位值的釋放曲線。



圖7.不同時間浸入不同試驗溶液的Nyquist(1?a3)和Bode(b1?b3)圖。



圖8.在不同測試溶液中浸泡24小時(b)和轉(zhuǎn)移到E=0(c)后,低碳鋼板與時間(a)和低碳鋼板的極化曲線。




圖9.Nyquist(a1?a3)和Bode(b1?b3)圖的切割涂層在不同時間浸入3.5wt%的氯化鈉溶液中。



圖10.在3.5wt%氯化鈉溶液中浸泡24小時后,EP(a1和a2)、MXEne@EP(b1和b2)以及MXENE-Ce3+@EP(c1和c2)涂層的FE-SEM圖像(左)和EDS光譜(右)。



圖11.暴露于鹽霧中14天后,不同條紋涂層的鹽霧圖像。



圖12.輕鋼板在Ti3C2MXeneCe3+溶液中浸泡24小時后,F(xiàn)e2p3、O1s、N1s和Ce3d信號的高分辨率XPS光譜。



圖13.Ti3C2MXene-Ce3+在涂層相中的抑制機理示意圖。

三、全文總結(jié)

采用蝕刻法合成了納米層Ti3C2MXene,然后用APTES進行修飾,將Ti3C2MXene納米片表面嫁接?氨基官能基團。將改性的ti3c2MXene納米片作為納米容器,封裝Ce3+作為生態(tài)膜緩蝕劑。評價了晶格間距為1.01~1.03nm的類ti3c2MXene納米片在溶液相和涂層相中的活性CPP活性。Ce3+的釋放檢測顯示,在模擬海水中30h后,平衡濃度為43ppm。EIS結(jié)果在溶液階段顯示增加|Z|0.01赫z從≈0.72kΩhz2溫和鋼板浸在空白溶液,≈1.5和≈Ti3C2MXene和MXene26.6kΩ+提取液,分別在24小時后。在環(huán)氧涂層中引入2wt%Ti3C2MXene-Ce3+,對環(huán)氧納米復(fù)合涂層的CPP有顯著改善。暴露于鹽鹽水24小時后,|Z|0.01Hz的值分別從環(huán)氧樹脂的≈為8.9kΩcm2到≈為15.6,MXene@EP和MXEne-Ce3+@EP涂層的|Z|為32.1kΩcm2。表面形貌和鹽噴霧結(jié)果表明,在ti3c2MXene-Ce3+納米片的存在下,有一個合適的CPP。MXene-Ce3+@EP涂層刻區(qū)的FE-SEM和鹽噴霧圖像顯示,與其他環(huán)氧涂層相比,劃痕中的銹蝕和腐蝕產(chǎn)物更低,陰極分層更低(≈8%)。

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