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第 1章 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)

1.1 引言

1.2 MOSFET的工作原理

1.2.1 累積

1.2.2 耗盡

1.2.3 反型

1.2.4 強(qiáng)反型

1.3 MOSFET的品質(zhì)因數(shù)

1.4 MOSFET器件結(jié)構(gòu)的演變

1.5 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

第2章器件結(jié)構(gòu)小型化和演化進(jìn)程

2.1 引言

2.2 尺寸和結(jié)構(gòu)的縮放

2.2.1 縮放原則

2.2.2 器件結(jié)構(gòu)的影響

2.2.3 無(wú)結(jié)型晶體管

2.3 光刻

2.3.1 增強(qiáng)分辨率

2.3.2 二次圖形化技術(shù)

2.3.3 極紫外光刻技術(shù)

2.3.4 掩模增強(qiáng)技術(shù)

2.4 電子束光刻

2.5 應(yīng)變工程

......

第8 章先進(jìn)互連技術(shù)及其可靠性

8.1 引言

8.2 銅互連集成

8.2.1 大馬士革工藝

8.2.2 銅電阻隨互連微縮的變化

8.2.3 新型銅互連集成方案

8.3 low-k 介質(zhì)特征和分類

8.3.1 low-k特性

8.3.2 low-k分類和表征

8.3.3 low-k介質(zhì)集成挑戰(zhàn)

8.3.4 氣隙在互連中的實(shí)現(xiàn)

8.4 銅與硅和介質(zhì)的相互作用

8.4.1 銅與硅的相互作用

8.4.2 銅與介質(zhì)的相互作用

8.5 金屬擴(kuò)散阻擋層

8.5.1 金屬間阻擋層的材料選擇

8.5.2 金屬擴(kuò)散阻擋層的沉積

8.6 銅金屬化的可靠性

8.6.1 電遷移基礎(chǔ)理論

8.6.2 應(yīng)力致空洞化

8.7 先進(jìn)金屬間介質(zhì)的可靠性

8.7.1 金屬間介質(zhì)的漏電機(jī)理

8.7.2 金屬間介質(zhì)的擊穿特性

8.8 可靠性統(tǒng)計(jì)和失效模型

8.8.1 概率分布函數(shù)

8.8.2 擊穿加速模型

8.9 未來(lái)的互連

8.10 小結(jié)

參考文獻(xiàn)

后記

原著致謝

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前言/序言

作為 Woodhead 出版社電子學(xué)和光學(xué)材料叢書的一種，本譯作的英文版——CMOS Past，Present and Fuure 由Elsevier出版。這本書由來(lái)自中國(guó)科學(xué)院大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、歐洲微電子研發(fā)中心Imec 的同事們合作完成。

作為新近出版的一部關(guān)于 CMOS器件和制造的專業(yè)書籍，本書內(nèi)容涵蓋了CMOS 器件的發(fā)展歷史、技術(shù)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)于過(guò)去 20 年中進(jìn)入量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)模塊給出了相對(duì)系統(tǒng)和深入的討論，包括 90 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)引入的鍺硅應(yīng)變?cè)绰┘夹g(shù)、45納米節(jié)點(diǎn)引入的高 k/金屬柵技術(shù)、超淺結(jié)技術(shù)、先進(jìn)接觸技術(shù)和銅互連技術(shù)，此外對(duì)于未來(lái)有可能替代硅的高遷移率溝道材料也做了專門的講解。這些內(nèi)容是過(guò)去有關(guān)超大規(guī)模集成電路的書籍所缺少的。對(duì)于從事集成電路制造的研發(fā)人員和微電子學(xué)相關(guān)專業(yè)的研究生，這本書不失為一個(gè)好的參考閱讀材料;對(duì)于就業(yè)于集成電路裝備和材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)人員，書中的相關(guān)章節(jié)也可以幫助他們更好地理解他們的產(chǎn)品所需要面對(duì)的問(wèn)題。

囿于語(yǔ)言和傳播途徑上的限制，本書的英文版在中國(guó)大陸同仁中的傳播和影響力十分有限，而在大陸集成電路產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的今天，這本書的中文版應(yīng)該可以對(duì)從事這一產(chǎn)業(yè)的中文讀者有所助益。有鑒于此，上?？茖W(xué)技術(shù)出版社買下了該書的中文版權(quán)，并希望譯者將書稿翻譯付梓。在新冠疫情肆虐的這段日子里，譯者遵守國(guó)家要求，居家抗疫，隨即獲得了充分的伏案時(shí)間，很快地將書稿譯完。