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　　《電子元器件失效分析技術(shù)》是電子產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性方面的專(zhuān)業(yè)類(lèi)書(shū)籍，既有基礎(chǔ)理論，又有具體技術(shù)、方法流程和應(yīng)用，可以為電子行業(yè)的相關(guān)工程人員提供很好的指導(dǎo)和幫助。

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《電子元器件失效分析技術(shù)》是工程應(yīng)用類(lèi)書(shū)，主要介紹電子元器件失效分析技術(shù)。從失效分析概論、失效分析技術(shù)、失效分析方法和程序以及失效預(yù)防幾個(gè)方面的內(nèi)容，使讀者全面系統(tǒng)地掌握失效分析方面的基礎(chǔ)理論、基本概念，技術(shù)和設(shè)備、方法和流程，指導(dǎo)開(kāi)展相關(guān)的失效分析工作，并了解失效預(yù)防的一些基本方法和手段。

作者簡(jiǎn)介

　　恩云飛，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)委員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)真空電子分會(huì)委員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)第八屆理事會(huì)青年與志愿者工作委員會(huì)委員，廣東省電子學(xué)會(huì)理事，《失效分析與預(yù)防》編委會(huì)委員，長(zhǎng)期從事電子元器件可靠性工作，在電子元器件可靠性物理、評(píng)價(jià)及試驗(yàn)方法等方面取得顯著研究成果，先后獲省部級(jí)科技獎(jiǎng)勵(lì)10項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇，申請(qǐng)及授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng)。

目錄

第一篇 電子元器件失效分析概論
第1章 電子元器件可靠性 （2）
1.1 電子元器件可靠性基本概念 （2）
1.1.1 累積失效概率 （2）
1.1.2 瞬時(shí)失效率 （3）
1.1.3 壽命 （5）
1.2 電子元器件失效及基本分類(lèi) （6）
1.2.1 按失效機(jī)理的分類(lèi) （7）
1.2.2 按失效時(shí)間特征的分類(lèi) （7）
1.2.3 按失效后果的分類(lèi) （8）
參考文獻(xiàn) （8）
第2章 電子元器件失效分析 （9）
2.1 失效分析的作用和意義 （9）
2.1.1 失效分析是提高電子元器件可靠性的必要途徑 （9）
2.1.2 失效分析在工程中有具有重要的支撐作用 （10）
2.1.3 失效分析會(huì)產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)效益 （10）
2.1.4 小結(jié) （11）
2.2 開(kāi)展失效分析的基礎(chǔ) （11）
2.2.1 具有電子元器件專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)知識(shí) （11）
2.2.2 了解和掌握電子元器件失效機(jī)理 （12）
2.2.3 具備必要的技術(shù)手段和設(shè)備 （12）
2.3 失效分析的主要內(nèi)容 （13）
2.3.1 明確分析對(duì)象 （14）
2.3.2 確認(rèn)失效模式 （14）
2.3.3 失效定位和機(jī)理分析 （14）
2.3.4 尋找失效原因 （14）
2.3.5 提出預(yù)防和改進(jìn)措施 （15）
2.4 失效分析的一般程序和要求 （15）
2.4.1 樣品信息調(diào)查 （16）
2.4.2 失效樣品保護(hù) （16）
2.4.3 失效分析方案設(shè)計(jì) （16）
2.4.4 外觀檢查 （17）
2.4.5 電測(cè)試 （17）
2.4.6 應(yīng)力試驗(yàn)分析 （18）
2.4.7 故障模擬分析 （18）
2.4.8 失效定位分析 （18）
2.4.9 綜合分析 （21）
2.4.10 失效分析結(jié)論和改進(jìn)建議 （21）
2.4.11 結(jié)果驗(yàn)證 （21）
2.5 失效分析技術(shù)的發(fā)展及挑戰(zhàn) （22）
2.5.1 定位與電特性分析 （22）
2.5.2 新材料的剝離技術(shù) （22）
2.5.3 系統(tǒng)級(jí)芯片的失效激發(fā) （22）
2.5.4 微結(jié)構(gòu)及微缺陷成像的物理極限 （22）
2.5.5 不可見(jiàn)故障的探測(cè) （23）
2.5.6 驗(yàn)證與測(cè)試的有效性 （23）
2.5.7 加工的全球分散性 （23）
2.5.8 故障隔離與模擬軟件的驗(yàn)證 （23）
2.5.9 失效分析成本的提高 （23）
2.5.10 數(shù)據(jù)的復(fù)雜性及大數(shù)據(jù)量 （23）
2.6 結(jié)語(yǔ) （24）
參考文獻(xiàn) （24）
第二篇 失效分析技術(shù)
第3章 失效分析中的電測(cè)試技術(shù) （26）
3.1 概述 （26）
3.2 電阻、電容和電感的測(cè)試 （27）
3.2.1 測(cè)試設(shè)備 （27）
3.2.2 電阻測(cè)試方法及案例分析 （27）
3.2.3 電容測(cè)試方法及案例分析 （29）
3.2.4 電感測(cè)試方法及案例分析 （31）
3.3 半導(dǎo)體器件測(cè)試 （32）
3.3.1 測(cè)試設(shè)備 （32）
3.3.2 二極管測(cè)試方法及案例分析 （34）
3.3.3 三極管測(cè)試方法及案例分析 （39）
3.3.4 功率MOS的測(cè)試方法及案例分析 （42）
3.4 集成電路測(cè)試 （46）
3.4.1 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 （46）
3.4.2 端口測(cè)試技術(shù) （47）
3.4.3 靜電和閂鎖測(cè)試 （49）
3.4.4 IDDQ測(cè)試 （51）
3.4.5 復(fù)雜集成電路的電測(cè)試及定位技術(shù) （52）
參考文獻(xiàn) （53）
第4章 顯微形貌分析技術(shù) （54）
4.1 光學(xué)顯微觀察及光學(xué)顯微鏡 （54）
4.1.1 工作原理 （54）
4.1.2 主要性能指標(biāo) （55）
4.1.3 用途 （56）
4.1.4 應(yīng)用案例 （56）
4.2 掃描電子顯微鏡 （57）
4.2.1 工作原理 （57）
4.2.2 主要性能指標(biāo) （59）
4.2.3 用途 （60）
4.2.4 應(yīng)用案例 （60）
4.3 透射電子顯微鏡 （61）
4.3.1 工作原理 （61）
4.3.2 主要性能指標(biāo) （62）
4.3.3 用途 （63）
4.3.4 應(yīng)用案例 （64）
4.4 原子力顯微鏡 （65）
4.4.1 工作原理 （65）
4.4.2 主要性能指標(biāo) （66）
4.4.3 用途 （66）
4.4.4 應(yīng)用案例 （67）
參考文獻(xiàn) （68）
第5章 顯微結(jié)構(gòu)分析技術(shù) （70）
……

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精彩書(shū)摘

　　《電子元器件失效分析技術(shù)》：
　　3.電阻器的老化
　　電阻器的老化是由于導(dǎo)電材料、黏結(jié)劑及接觸部分逐漸產(chǎn)生不可逆變化的結(jié)果，老化過(guò)程是在工作條件和環(huán)境條件下，電阻器的電阻發(fā)生各種物理和化學(xué)的形成過(guò)程的綜合。
　?。?）導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的變化。
　　薄膜電阻器中，用沉積方法制得的導(dǎo)電膜是不完整的晶體結(jié)構(gòu)，存在一定程度的無(wú)定型結(jié)構(gòu)。在儲(chǔ)存和工作條件下，導(dǎo)電膜的無(wú)定型體以一定的速度趨于結(jié)晶化。導(dǎo)電膜的結(jié)晶化一般使電阻值降低，這種過(guò)程是很緩慢的，影響也很小。
　?。?）電阻合金在冷加工過(guò)程中因機(jī)械應(yīng)力而使內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生應(yīng)變。
　　拉制的線徑越細(xì)或碾壓的箔材越薄，則所受到的應(yīng)力也越大。合金線在制造線阻的繞線過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，繞線時(shí)的拉力越大則產(chǎn)生的應(yīng)力也越大。電阻體中殘余的內(nèi)應(yīng)力在長(zhǎng)期的存放或工作過(guò)程中會(huì)慢慢消除，同時(shí)電阻值也發(fā)生變化。