模電|模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)|上海交通大學(xué) 鄭益慧(講課質(zhì)量最好版本)版本一

P5雪崩擊穿——齊納擊穿
效果:
穩(wěn)壓<4V,α<0(溫度越高,穩(wěn)壓越低
穩(wěn)壓>7V,α>0(溫度越高,穩(wěn)壓越高
原理:
- 齊納擊穿
- PN結(jié)摻雜濃度高 ->
- 耗盡層電壓大,寬度小->
- 小反向電壓->
- 電子能量大->電子隧穿->電流
- 雪崩擊穿
- PN結(jié)摻雜濃度低?->
- 耗盡層電壓小,寬度大->
- 大反向電壓->
- 電子能量大->撞破共價(jià)鍵->電流
總結(jié):
對(duì)PN結(jié)施加反向電壓,
摻雜濃度高的耗盡層窄->電子隧穿,穩(wěn)壓低。
摻雜濃度低的耗盡層寬->電子大力出奇跡,穩(wěn)壓高。
標(biāo)簽: