編輯-Z

肖特基二極管的基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅晶片）的接觸表面上，形成的肖特基用于阻擋反向電壓。肖特基和PN結(jié)的整流原理之間存在根本區(qū)別。它的耐壓僅為40V左右。它的特長是：開關(guān)速度非常快：反向恢復(fù)時間trr特別短。因此，可以制造開關(guān)二極管和低壓大電流整流二極管。那么SBT30100VFCT 低壓降肖特基二極管ASEMI品牌有何特別之處？

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型號：SBT30100VFCT

電性參數(shù)：30A100V

芯片材質(zhì)：SI

正向電流(Io)：20A

芯片個數(shù)：2

正向電壓(VF)：0.54V

芯片尺寸：93MIL

浪涌電流Ifsm：120A

漏電流(Ir)：20UA

工作溫度：-55~+150℃

恢復(fù)時間(Trr)：<5nS

引線數(shù)量：3

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SBT30100VFCT 低壓降肖特基二極管正向輸出電流：30A；反向耐壓：100V；正向壓降：0.54V；漏電流：20ua；包裝形式：TO-220AB；工作溫度范圍：-55至+ 150℃

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SBT30100VFCT這樣的30A，100V低壓降肖特基產(chǎn)品是近年來市場上的熱門產(chǎn)品。在固定電流下，正向壓降比傳統(tǒng)的肖特基低近30％。使用先進(jìn)的溝槽制造技術(shù)，可以將滿載效率提高4％以上。采用TRENCH先進(jìn)技術(shù)的ASEMI品牌低壓降肖特基SBT30100VFCT和SBT30100UFCT均具有三腳共陰極結(jié)構(gòu)。 SBT30100VFCT的V代表V版本的LOW VFCT（100V V版本VFCT = 0.63v）

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以上就是關(guān)于SBT30100VFCT 低壓降肖特基二極管ASEMI品牌有何特別之處的介紹。臺灣的ASEMI品牌在整流橋領(lǐng)域已有12年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，供應(yīng)全系列高品質(zhì)，高性能的整流橋產(chǎn)品。