光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和微光學(xué)、微機(jī)械技術(shù)的先導(dǎo)和基礎(chǔ)，他決定了集成電路（IC）的集成度。 光刻版在使用過(guò)程中不可避免地會(huì)粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國(guó)家將 LED照明列入為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，LED 行業(yè)迅猛發(fā)展。 LED制造過(guò)程中， 具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點(diǎn)。大多生產(chǎn)廠(chǎng)家為了節(jié)省成本，主要采用接觸式曝光。 接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設(shè)備達(dá)到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會(huì)造成晶圓邊緣膠層過(guò)厚，在接觸式曝光過(guò)程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導(dǎo)致光亥膠粘附到光刻版表面（圖 1）。對(duì)于 IC 行業(yè)，因?yàn)榫€(xiàn)條更細(xì)，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。對(duì)于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達(dá)到 100%，但對(duì)于光刻版而言卻并非如此，其原因是對(duì)于產(chǎn)品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大， 單晶圓缺陷只影響一個(gè)缺陷，而一個(gè)光刻版卻影響到每一個(gè)芯片。

由于零成像缺陷是可以實(shí)現(xiàn)的， 工廠(chǎng)內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對(duì)光刻版進(jìn)行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。

1.光刻板清洗工藝

1.1 光刻膠及其他有機(jī)污染物的去除

對(duì)于光刻膠及其他有機(jī)污染物，比較常見(jiàn)的方法是通過(guò)有機(jī)溶劑將其溶解的方法將其去除，例如利用丙酮浸泡光亥刻版，在浸泡的同時(shí)可以超聲提高浸泡效果。對(duì)于比較干凈的光刻版，浸泡基本就能將有機(jī)污染物去除干凈。對(duì)于光刻膠較多的光刻版，浸泡只能將光刻膠泡軟，還需要用無(wú)塵布或無(wú)塵棉蘸丙酮輕輕擦洗，或在光刻版清洗設(shè)備中采用毛刷刷洗，通過(guò)外力將頑固的光刻膠去除掉。毛刷刷洗基本原理如圖 2 所示，光刻版勻速旋轉(zhuǎn)，噴嘴向光刻版表面噴灑丙酮等化學(xué)液，使得光刻膠由于溶解而變得松軟，然后毛刷接觸到光刻板表面，光刻板旋轉(zhuǎn)時(shí)與毛刷產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，輔以噴嘴噴出的化學(xué)液，對(duì)光刻版表面起到刷洗作用。刷洗完成后，通常采用高壓 DI 水沖洗光刻版，通過(guò)高壓微細(xì)水滴的沖擊力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻膠。

第二種辦法對(duì)于所有的有機(jī)材料都是有效的，它采用濃硫酸和 30%過(guò)氧化氫的混合物 （在>100 ℃時(shí)，混合比通常為 2∶1～4∶1），之后是去離子水（DI）沖洗，稱(chēng)為 Piranha 刻蝕。這種方法對(duì)于特別難去除的光刻膠或由于接觸過(guò)高溫等環(huán)境導(dǎo)致已經(jīng)變性的光刻膠非常有效，并且可以得到很高的去膠效率。隨后的清潔即去除圖案化、檢查和修復(fù)任何殘留在光刻版表面的光刻膠或顆粒污染物。在最有效的工藝中，強(qiáng)氧化劑清洗之后是氫氧化銨噴霧，以抵消殘留酸（從而形成硫酸銨，一種易去除的鹽）; 然后用去離子水沖洗以消除硫酸銨。

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2光刻版清洗效果

在前面所述的全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)上，對(duì)某 LED廠(chǎng)家的光刻版進(jìn)行了清洗，清洗前后在 200倍的顯微鏡下效果如圖 ?所示。能夠很明顯看到，光刻膠被有效去除。

3結(jié) 論

華林科納認(rèn)為光刻版清洗的重要性，闡述了兩種常用的光刻版清洗工藝，列舉了較成熟的半自動(dòng)光刻版清洗機(jī)和全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)的主要結(jié)構(gòu)及組成及其適用對(duì)象，最終通過(guò)在全自動(dòng)光刻版清洗機(jī)上進(jìn)行了試驗(yàn)，得到了非常理想的工藝效果。

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