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單原子催化劑的合成表征,數(shù)據(jù)分析及理論計(jì)算

2022-11-03 15:00 作者:bili_74204057874  | 我要投稿

背景

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單原子催化劑因?yàn)榻艹龅男阅芏鴤涫荜P(guān)注,尤其是最大的原子利用率和電子性能的高度可調(diào)性。

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通常過(guò)渡金屬SACs通過(guò)與氮摻雜劑配位固定在碳納米材料上,然而,N原子的強(qiáng)電負(fù)性會(huì)改變金屬催化中心的電子性質(zhì),增加反應(yīng)中間體的吸附自由能,為了解決這一問(wèn)題,可以引入電負(fù)性較弱的二次雜原子摻雜劑(S和P)來(lái)優(yōu)化活性金屬中心的局部配位環(huán)境。

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簡(jiǎn)介

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在本文中,將分散的Co原子錨定在氮和硫共摻雜空心碳球(Co SA/N,S-HCS)上,通過(guò)與N的近程配位和與S的長(zhǎng)程配位實(shí)現(xiàn)Co活性中心的電子調(diào)節(jié)。

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Co SA/N,S-HCS表現(xiàn)出優(yōu)良的穩(wěn)定性能同時(shí)具有ORR、OER和HER三功能電催化活性。

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通過(guò)密度泛函理論(DFT)證明,增強(qiáng)的電催化性能源于原子分散的高活性Co-N4,該方法優(yōu)化了Co活性中心的態(tài)密度分布,增強(qiáng)了Co活性中心的電子轉(zhuǎn)移,降低了中間體吸附的反應(yīng)自由能。

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此外,空心碳球作為催化劑的載體,提供了一個(gè)大的比表面積和高孔隙率,以完全暴露所有的活性位點(diǎn)。

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內(nèi)容

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材料合成

作者通過(guò)St?ber方法制備了平均粒徑為150 nm的球形二氧化硅(SiO2)模板,然后將Co前驅(qū)體與多巴胺單體混合,這些單體在SiO2表面聚合形成核殼結(jié)構(gòu)的SiO2@聚多巴胺納米球。

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產(chǎn)物隨后在900℃氬氣氣氛下存在硫的情況下進(jìn)行熱解,然后用氫氧化鈉刻蝕二氧化硅,形成具有Co單原子的N和S共摻雜空心碳球。

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形貌分析

高分辨率透射電鏡(HRTEM)圖像(圖1d)顯示空心納米球的殼層厚度為4 nm。其環(huán)狀電子衍射(SAED)圖(圖1d插圖)顯示了碳?xì)げ糠质男再|(zhì),有利于提高導(dǎo)電性能和耐腐蝕性能。

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能量色散X射線能譜(EDS)元素映射圖顯示,C、N、S、Co分布均勻(圖1e、f)。為了證實(shí)Co單原子的存在,作者采用高角環(huán)形暗場(chǎng)像-掃描透射電子像(HAADF-STEM)進(jìn)行表征(圖1g)。

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一些分散得很好的亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)于較重的Co原子,這些亮點(diǎn)的平均尺寸為1.48 A,進(jìn)一步證明了它們的原子特性。

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圖1:(a)Co SA/N,S-HCS的合成過(guò)程示意圖;(b)Co SA/N,S-HCS的掃描電鏡圖;(c)透射電鏡圖;(d)高分辨透射電鏡圖,插圖為選區(qū)電子衍射圖;(e)高角環(huán)形暗場(chǎng)像-掃描透射電子像;(f)相對(duì)應(yīng)的能譜元素映射圖;(g)高分辨率高角環(huán)形暗場(chǎng)像-掃描透射電子像

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Co配位結(jié)構(gòu)分析

采用X射線光電子能譜(XPS)來(lái)探究材料的元素組成和化學(xué)價(jià)態(tài),N 1s最強(qiáng)的峰來(lái)自于 CoSAs/ N, S-HCS和CoSAs/ N-HCS 的吡啶N,相較于N-HCS的位置正移了0.3 eV,說(shuō)明Co主要和吡啶N相結(jié)合。

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并且,相較于CoSAs/ N-HCS,CoSAs/ N, S-HCS的石墨烯N位置負(fù)移了0.3 eV,這可能是由于S物種的給電子作用。CoSA/N,S- HCS的高分辨率2p XPS譜顯示出C-S-C和C=S的兩個(gè)強(qiáng)峰,證實(shí)了S原子主要包含在芳香碳結(jié)構(gòu)中。

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Co K-edge的邊結(jié)構(gòu)(XANES)光譜(圖2b)顯示CoSA/N,S-HCS的吸收邊位于Co箔和CoO的吸收邊之間,說(shuō)明價(jià)態(tài)在0 ~ +2之間。CoSA/N,S-HCS的吸收邊明顯向低能量方向移動(dòng)1 eV表明p型S摻雜具有供電子效應(yīng)。

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傅里葉變換(FT) k加權(quán)擴(kuò)展x射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)光譜(圖2c)表明,CoSA/N,S-HCS在1.36 A處只有一個(gè)明顯的峰,對(duì)應(yīng)Co-N第一配位殼層。與CoSA/N-HCS(1.41 A)相比,CoSA/N-HCS (1.41 A)的峰值下降了0.05 A,這可能是由附近的S摻雜劑引起的。

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在Co K-edge進(jìn)行定量EXAFS擬合,提取結(jié)構(gòu)參數(shù)(表1),擬合曲線表明CoSA/N,S-HCS中的Co原子由4個(gè)N原子配位(沒(méi)有Co- S配位)形成Co-N。為了確定S原子的位置,我們構(gòu)建了幾種可能的原子結(jié)構(gòu)模型,如圖3所示。

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此外,S k邊XANES和EXAFS光譜(圖4a,b)表明,CoSA/N,S-HCS中的S種以C-S-C配位為主,與XPS分析一致。如圖4d所示,在S K-edge處的XANES模擬也證實(shí)了CoSA/N,S-HCS的實(shí)驗(yàn)光譜與Co-N-S3的計(jì)算光譜是一致的。

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圖2:(a)Co SA/N,S-HCS、Co SA/N-HCS和N-HCS的N 1s高分辨XPS圖譜;(b)Co SA/N,S-HCS、Co SA/N-HCS和參照樣品在Co k邊處的(b)XANES圖譜;(c)Co k邊處傅里葉變換(FT) k加權(quán)擴(kuò)展x射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)圖譜;(d)Co SA/N,S-HCS在R空間的EXAFS擬合曲線(插圖為k空間擬合曲線);(e)Co SA/N,S-HCS在Co k邊處的模擬XANES圖譜(插圖為Co SA/N,S-HCS的原子界面模型);(f)Co SA/N,S-HCS和Co SA/N-HCS的氮?dú)馕摳角€(插圖為響應(yīng)的孔徑分布圖)

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表1:從Co K-edge EXAFS擬合數(shù)據(jù)中提取的結(jié)構(gòu)參數(shù)

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圖3:(a-e)提出的Co SA/N,S-HCS上不同S取代位點(diǎn)的模型;(f)所提出的模型對(duì)應(yīng)的吸附能

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圖4:(a)Co SA/N,S-HCS的S k邊XANES曲線;(b)Co SA/N,S-HCS在S k邊處的傅里葉變換(FT) k加權(quán)擴(kuò)展x射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)圖譜;(c)Co SA/N,S-HCS和提出的模型在Co k邊的模擬XANES圖;(d)Co SA/N,S-HCS和提出的模型在S k邊的模擬XANES圖。

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結(jié)論

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在本文中,作者以SiO2作為模板,合成了Co單原子分散的N和S共摻雜空心碳球(CoSA/N,S-HCS)。

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并通過(guò)HAADF-STEM證明了Co在碳球里面以原子分散的形式存在于空心碳球里面,通過(guò)XANES證明了Co的價(jià)態(tài)在0 ~ +2之間,同時(shí)結(jié)合EXAFS證明了Co是以單原子的形式存在。

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并采用模擬計(jì)算和實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果互相佐證的方式通過(guò)XANES和EXAFS探究了Co單原子的配位環(huán)境。

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[1]Atomically Dispersed Cobalt Trifunctional Electrocatalysts with Tailored Coordination Environment for Flexible Rechargeable Zn–Air Battery and Self‐Driven Water Splitting[J]. Advanced Energy Materials, 2020.

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