編輯：ll

ISL9R3060G2英飛凌MOS管、原裝現(xiàn)貨ASEMI代理

型號：ISL9R3060G2

品牌：ASEMI

封裝：TO-247-2L

最大漏源電流：30A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：0.08Ω

引腳數(shù)量：3

特性：車規(guī)級MOS管

芯片個數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應(yīng)管

工作溫度：-50℃~175℃

備受歡迎的ISL9R3060G2車規(guī)級MOS管

??ASEMI品牌ISL9R3060G2是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了ISL9R3060G2的最大漏源電流30A，漏源擊穿電壓600V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

ISL9R3060G2,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

ISL9R3060G2具體參數(shù)為：最大漏源電流：30A，漏源擊穿電壓：600V，反向恢復(fù)時間： ns，封裝：TO-247-2L

?

強(qiáng)元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。

ASEMI半導(dǎo)體廠家-強(qiáng)元芯電子專業(yè)經(jīng)營分離式元器件，主要生產(chǎn)銷售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模塊（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽車整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二極管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二極管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、開關(guān)管、穩(wěn)壓管)；玻璃鈍化（GPP）六英寸晶圓等，各種封裝參數(shù)在ASEMI官網(wǎng)都有詳細(xì)介紹。