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兆易創(chuàng)新即將流片DRAM,本土內(nèi)存突破點(diǎn)愈加清晰

2023-11-20 01:06 作者:小林家的垃圾王R  | 我要投稿

兆易創(chuàng)新即將流片DRAM,本土內(nèi)存突破點(diǎn)愈加清晰


半導(dǎo)體行業(yè)觀察


專(zhuān)注半導(dǎo)體和硬科技產(chǎn)業(yè),實(shí)時(shí)、專(zhuān)業(yè)、原創(chuàng)、深度

來(lái)源:內(nèi)容由公眾號(hào)半導(dǎo)體行業(yè)觀察(ID:icbank)原創(chuàng),謝謝。

今年9月,兆易創(chuàng)新在公告中表示,擬定增43億元,籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。10月1日,該公司發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行A股股票預(yù)案公告,稱(chēng)扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

其中,DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資39.92億元,擬投入募集資金33.24億元。兆易創(chuàng)新擬通過(guò)本項(xiàng)目,研發(fā)1X-nm制程工藝的DRAM,具體包括DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片??v觀整個(gè)行業(yè),經(jīng)歷了長(zhǎng)時(shí)間的競(jìng)爭(zhēng)更替和路線選擇之后,DRAM技術(shù)被穩(wěn)定在以DDR為基礎(chǔ)的發(fā)展路線上。從DDR到DDR2、DDR3,目前,市面上比較普及的DRAM規(guī)格是DDR4/LPDDR4。據(jù)IDC統(tǒng)計(jì),按出貨量拆分,DDR4占比已達(dá)42%,與DDR3(占比47%)相當(dāng)接近。

兆易創(chuàng)新表示,本次非公開(kāi)發(fā)行完成及募集資金投資項(xiàng)目實(shí)施完畢后,其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)將得到進(jìn)一步豐富,在NOR Flash、NAND Flash基礎(chǔ)上切入DRAM存儲(chǔ)芯片。項(xiàng)目完成后,兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術(shù)、具備DRAM產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力。

實(shí)際上,早在2017年10月,兆易創(chuàng)新就宣布,將與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司合作開(kāi)展19nm的12英寸存儲(chǔ)器晶圓(含DRAM)研發(fā)項(xiàng)目,預(yù)算約為180億元人民幣。

按照產(chǎn)能的約定,該項(xiàng)目研發(fā)及生產(chǎn)的DRAM芯片優(yōu)先供兆易創(chuàng)新銷(xiāo)售并滿(mǎn)足其客戶(hù)的需求;該項(xiàng)目?jī)?yōu)先承接兆易創(chuàng)新DRAM的代工需求,為其產(chǎn)品的流片、生產(chǎn)提供支持。

而就在近日,兆易創(chuàng)新透露了該項(xiàng)目的具體規(guī)劃:DRAM首顆芯片2021年完成客戶(hù)驗(yàn)證,最晚于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

嵌入式DRAM玩家的福音

目前,在中國(guó)大陸,有多家IC設(shè)計(jì)公司都聚焦在小容量的Flash(包括NAND和NOR)研發(fā)上,主要面對(duì)的是嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用,同時(shí),也有一些廠商在做小容量的DRAM,主要面對(duì)的也是嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用。這些與那幾家國(guó)際存儲(chǔ)器巨頭(三星、SK海力士、美光等)有所差異,三星、SK海力士、美光以設(shè)計(jì)和生產(chǎn)大容量的DRAM為主,面對(duì)的市場(chǎng)主要是智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算等。

兆易創(chuàng)新是大陸地區(qū)存儲(chǔ)芯片的代表企業(yè),該公司以生產(chǎn)NOR Flash芯片著稱(chēng),在此基礎(chǔ)上,也在研發(fā)NAND Flash,同樣是以低容量產(chǎn)品為主(1Gb、2Gb),主要面對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)。與此同時(shí),該公司Flash芯片的下游客戶(hù)與DRAM的重合度較高,而NAND Flash又不同于NOR Flash,NOR有一個(gè)特點(diǎn)就是執(zhí)行速度快,可以就地執(zhí)行,很多時(shí)候它不需要DRAM,但NAND必須要與DRAM配合使用。因此,進(jìn)軍DRAM業(yè)務(wù)也就成了順理成章的選擇。而該公司的DRAM與合肥長(zhǎng)鑫的定位有所不同,兩家不會(huì)沖突,因?yàn)檎滓椎腄RAM業(yè)務(wù),主要面向的是嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)。

在嵌入式市場(chǎng),有些操作系統(tǒng)(OS),如安卓4.0在NOR FLASH放不下的時(shí)候,就需要使用SLC NAND。SLC NAND放代碼的時(shí)候,就需要DRAM運(yùn)行,這里一般是小容量的DRAM。

未來(lái)智能化發(fā)展使得OS會(huì)越來(lái)越大,所以放代碼的空間也要盡量大,這就需要更多的NAND Flash,相應(yīng)地就催生了更多的DRAM需求。

此外,隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的逐步落地,特別是在邊緣側(cè),對(duì)性?xún)r(jià)比的要求會(huì)越來(lái)越高,這就需要有合適的NAND,以及與之相匹配的DRAM,既要保證容量夠用,又要盡量降低成本,此時(shí),選擇一個(gè)合適的中低容量的嵌入式DRAM就顯得很重要了。因此,物聯(lián)網(wǎng)的興起也給嵌入式DRAM的發(fā)展提供了廣闊的應(yīng)用空間。

目前,全球DRAM芯片市場(chǎng)基本被三星、SK海力士和美光等巨頭壟斷了。受制于資金和技術(shù)的限制,再加上起步較晚,我國(guó)大陸地區(qū)的DRAM企業(yè)數(shù)量較少,而且多數(shù)企業(yè)規(guī)模較小,產(chǎn)品相對(duì)落后。

但與此同時(shí),存儲(chǔ)是一個(gè)規(guī)模龐大的市場(chǎng),沒(méi)有一家企業(yè)能夠獨(dú)享,特別是隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起,以及智能終端的快速發(fā)展,將不斷擴(kuò)大對(duì)中小容量存儲(chǔ)芯片的需求,這其中,DRAM會(huì)扮演越來(lái)越重要的角色。行業(yè)格局的演變,以及存儲(chǔ)大廠廣泛專(zhuān)注于大容量市場(chǎng),客觀上讓出了中小容量DRAM芯片市場(chǎng),這就為相應(yīng)企業(yè)的發(fā)展提供了一個(gè)不錯(cuò)的機(jī)遇。

目前來(lái)看,出貨量較大的中小容量DRAM廠商集中在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū),主要包括南亞科技、力晶和華邦電。

突破的機(jī)遇

存儲(chǔ)器,特別是DRAM的技術(shù)和專(zhuān)利壁壘較高,這也是多年來(lái)困擾我國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要原因,但這也并非堅(jiān)不可摧。后來(lái)的廠商如果找到了合適的技術(shù)合作伙伴,找準(zhǔn)時(shí)機(jī),且做好市場(chǎng)定位,再加上資金的保障,也可以開(kāi)拓出一片屬于我們自己的DRAM天地。

而開(kāi)拓中小容量的DRAM市場(chǎng)是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。首先,如前文所述,它有較好的市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Γ浯?,可以避開(kāi)與三星、美光等巨頭的正面交鋒,關(guān)注國(guó)際巨頭逐步放棄的市場(chǎng),實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng),據(jù)估算,這個(gè)市場(chǎng)的規(guī)模在100億美元左右,其中70%在中國(guó)。這樣,我們的本土企業(yè)更貼近市場(chǎng),這是一個(gè)先天優(yōu)勢(shì)。

對(duì)于所有本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)來(lái)說(shuō),這是一個(gè)非常好的切入點(diǎn)。目前來(lái)看,中低容量的DRAM芯片主要集中在DDR3上。

對(duì)國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片廠商來(lái)說(shuō),看到市場(chǎng)機(jī)遇固然重要,但最重要的還是要練好自己的內(nèi)功,提升產(chǎn)品性?xún)r(jià)比的同時(shí),還要在生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)上多下功夫,找到自己的一席之地。

市場(chǎng)前景

目前的DRAM市場(chǎng),三星、美光、SK海力士正在從20nm向1Z-nm挺進(jìn),臺(tái)灣地區(qū)廠商除南亞科外,主要采用38nm制程。制程推進(jìn)放緩和存儲(chǔ)密度增速降低直接導(dǎo)致DRAM綜合位元供給增速下降。

產(chǎn)量方面,全球DRAM產(chǎn)能和投片量在2013~2017年從供給端來(lái)看是一個(gè)產(chǎn)能的平臺(tái)期,總體產(chǎn)能穩(wěn)定,20nm制程占比逐步提升。DRAM價(jià)格在這一時(shí)期先抑后揚(yáng),主要是在消化前期制程提升帶來(lái)的產(chǎn)能釋放。

到了2018年,三星和SK海力士都有小幅擴(kuò)產(chǎn),快速填補(bǔ)了市場(chǎng)需求缺口,全球DRAM產(chǎn)業(yè)逐步進(jìn)入下行周期,一直到2019下半年,都處于降價(jià)的狀態(tài)。但到年底,DRAM價(jià)格逐步趨穩(wěn),從目前的情形來(lái)看,多家機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2020上半年,全球DRAM市場(chǎng)將全面復(fù)蘇,價(jià)格止跌回升。

另外,2020年后,5G、AI和物聯(lián)網(wǎng)的普及和應(yīng)用將成為拉動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的重要力量,其中,整個(gè)DRAM市場(chǎng)總體向上的趨勢(shì)是確定的。

水漲船高,在這樣的大背景下,小容量DRAM有了更好的發(fā)展空間和勢(shì)頭,這為中國(guó)大陸的DRAM企業(yè)實(shí)現(xiàn)突破增添了砝碼。

發(fā)布于 2019-12-31 15:10

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)


半導(dǎo)體


內(nèi)存(RAM)


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舒貴

2025年,那時(shí)候DDR6都出貨了吧

2020-01-01


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