近期AMD、Intel分別發(fā)布了最新系列處理器，新平臺(tái)的發(fā)布將加速DDR5的迭代，嘉合勁威作為目前國(guó)內(nèi)最大的內(nèi)存模組廠商，率先布局DDR5市場(chǎng)，為DDR5未來的應(yīng)用普及奠定基礎(chǔ)，打開局面。今天我們就DDR的發(fā)展史來簡(jiǎn)單聊一聊嘉合勁威的“攻守道“。

內(nèi)存在存取速度上有著非常驚人的表現(xiàn)，但是由于斷電后不能保存存入信息的特點(diǎn)，在電腦發(fā)展的歷史長(zhǎng)河中，一直扮演著資源中轉(zhuǎn)站的角色。從SIMM到如今的DDR，再到以DDR為基礎(chǔ)進(jìn)行迭代，內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)格也發(fā)生了很大的變化。

歷代的DDR引腳數(shù)和鍵槽位置不同

嘉合勁威成立于2012年，擁有先進(jìn)的內(nèi)存模組制造車間，2013年嘉合勁威開始量產(chǎn)DDR3,從事OEM、ODM業(yè)務(wù)，憑借嚴(yán)苛的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、完善的生產(chǎn)體系、多樣化存儲(chǔ)產(chǎn)品解決方案，成為國(guó)內(nèi)第一家全產(chǎn)鏈內(nèi)存產(chǎn)品制造廠商。

和上一代相比，DDR3在許多方面做了新的規(guī)范，核心電壓降低到1.5V，預(yù)取從4-bit變成了8-bit。這也是DDR3提升帶寬的關(guān)鍵，同樣的核心頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬。DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插。容量上從512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的內(nèi)存條。

2014年DDR4出貨量占全球內(nèi)存總出貨量的12％，首次突破10億條。但在國(guó)內(nèi)國(guó)產(chǎn)DDR4幾近于無，DDR4多為國(guó)外品牌，價(jià)格較高，并未成為市場(chǎng)主流。2014年，嘉合勁威開始量產(chǎn)DDR4。嘉合勁威是國(guó)內(nèi)早期進(jìn)入內(nèi)存模組制造的廠商，其內(nèi)存模組制造有著悠久的歷史和深厚的技術(shù)積累。嘉合勁威旗下品牌光威（GLOWAY）2020年5月推出首款中國(guó)芯DDR4內(nèi)存，在深圳坪山廠區(qū)量產(chǎn)。弈Pro 系列作為國(guó)內(nèi)首款“中國(guó)芯”國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，打破了國(guó)外技術(shù)壟斷，揭開了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的新篇章，深受消費(fèi)者的喜愛。

相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。DDR4內(nèi)存的針腳從DDR3的240個(gè)提高到了288個(gè)，防呆缺口與DDR3的位置也不同。此外，還有一點(diǎn)與眾不同的改變，就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低并且有輕微的曲線，此前的內(nèi)存金手指都是平直的。DDR4在保持與DIMM插槽有足夠的信號(hào)接觸面積的同時(shí)，也能在移除內(nèi)存的時(shí)候比DDR3更加輕松。頻率方面從2133MHz起步，最高可以達(dá)到4200MHz，單條容量有4GB、8GB和16GB。

在研發(fā)、制造方面，嘉合勁威在2017年，自主研發(fā)了全自動(dòng)DRAM、NAND測(cè)試設(shè)備，極大提高了內(nèi)存條、SSD的質(zhì)量和性能，同時(shí)也極大提升了嘉合勁威高端存儲(chǔ)IC測(cè)試能力，以及內(nèi)存條、SSD產(chǎn)能。2017年嘉合勁威的內(nèi)存條年產(chǎn)能突破300萬，SSD年產(chǎn)能突破了250萬，僅電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品制造業(yè)務(wù)創(chuàng)造價(jià)值超過22億。2018年嘉合勁威將人工智能應(yīng)用于生產(chǎn)，進(jìn)一步推出了“全自動(dòng)測(cè)試方案”，解決了電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品生產(chǎn)全流程自動(dòng)化，智能化的問題，實(shí)現(xiàn)了智能制造的升級(jí)。嘉合勁威制造能力的不斷發(fā)展，電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品產(chǎn)能的不斷提升，極大平衡了國(guó)內(nèi)電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)格，讓國(guó)內(nèi)消費(fèi)者獲得了更高性價(jià)比的電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品。

作為DDR內(nèi)存的最新標(biāo)準(zhǔn)，嘉合勁威早在2020年就開始率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)，積極導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，率先實(shí)現(xiàn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)。

首款推出的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品在起跳頻率上就是4800MHz，對(duì)比DDR4可以說是有了相當(dāng)大的提升。全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將提供兩倍于上代的性能并大大提高電源效率。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下，最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps，而在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps。DDR5也改善了DIMM的工作電壓，將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。在內(nèi)存密度方面，DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個(gè)內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)最高40個(gè)單元的堆疊。

英特爾13代酷睿以及AMD 7000系列CPU，都開始聚焦于DDR5內(nèi)存。相信在未來DDR5內(nèi)存會(huì)逐步普及并取代DDR4內(nèi)存的存在。嘉合勁威為此也提前布局未來，為用戶帶來性能更強(qiáng)的DDR5內(nèi)存條，為DDR5未來的應(yīng)用、普及奠定基礎(chǔ)、打開局面。

DDR家族的演進(jìn)從DDR、DDR2、DDR3、DDR4、到DDR5，電腦配件不斷重復(fù)升級(jí)換代，當(dāng)主流產(chǎn)品服役一定的周期后，下一代產(chǎn)品必然將扮演著未來接班人的角色。每一次迭代，基本都能實(shí)現(xiàn)芯片性能翻倍，當(dāng)新一代性能更好的DDR出現(xiàn)時(shí)，老一代DDR會(huì)逐漸被替代，未來的主流市場(chǎng)必將屬于DDR5。

嘉合勁威，在國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)發(fā)展歷程中，始終擔(dān)任著領(lǐng)軍者的角色，“攻”積極開拓市場(chǎng)、加大研發(fā)力度、堅(jiān)持提升核心技術(shù)、布局產(chǎn)業(yè)發(fā)展；“守”十年發(fā)展深耕存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)線、注重產(chǎn)品質(zhì)量性能、用心提升服務(wù)質(zhì)量、堅(jiān)守國(guó)產(chǎn)內(nèi)存方向，這是屬于嘉合的“攻守道”。

惟其篤行，方能致遠(yuǎn)；惟其磨礪，始得玉成。依據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)排名，嘉合勁威內(nèi)存業(yè)務(wù)規(guī)模居全球第四位，成功成為中國(guó)最大的內(nèi)存模組廠和存儲(chǔ)產(chǎn)品方案商。時(shí)間的年輪下，新的技術(shù)終將取代老舊的技術(shù)。作為國(guó)內(nèi)量產(chǎn)DDR5先行者，嘉合勁威以其在存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)積累和沉淀深耕消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的同時(shí)，將積極布局企業(yè)級(jí)板塊，持續(xù)加大研發(fā)投入，在確保品質(zhì)和穩(wěn)定性的同時(shí)，整合上下游資源來應(yīng)對(duì)未來市場(chǎng)的各種挑戰(zhàn)。