????????SEM與TEM的成像原理有什么不同的，下面就跟著鑠思百小編來(lái)了解一下吧。

????????首先說(shuō)的是SEM的成像原理，SEM主要由電子束打在樣品表面后所產(chǎn)生的二次電子；背散射電子；俄歇電子等，通過(guò)成像系統(tǒng)得到的圖像。主要有以下幾個(gè)原理：

l?二次電子是指被入射電子轟擊出來(lái)的核外電子。

????????由于原子核和外層價(jià)電子間的結(jié)合能很小，因此外層的電子比較容易和原子脫離。當(dāng)原子的核外電子從入射電子獲得了大于相應(yīng)的結(jié)合能的能量后，可離開原子而變成自由電子。

????????如果這種散射過(guò)程發(fā)生在比較接近樣品表層，那些能量尚大于材料逸出功的自由電子可從樣品表面逸出，變成真空中的自由電子，即二次電子。

????????二次電子產(chǎn)額隨原于序數(shù)的變化不明顯，它主要決定于表面形貌。

????????二次電子對(duì)試樣表面狀態(tài)非常敏感,能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。掃描電子顯微鏡的分辨率通常就是二次電子分辨率。因此一般所說(shuō)的電子顯微鏡照片即是指收集到的二次電子信號(hào)轉(zhuǎn)化成的圖象,簡(jiǎn)稱形貌像。

l?背散射電子是指被固體樣品原子反射回來(lái)的一部分入射電子，其中包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。

背散射電子成像分辨率一般為50-200nm（與電子束斑直徑相當(dāng)）。

背散射電子及二次電子的產(chǎn)額隨原子序數(shù)的增加而增加，但二次電子增加的不明顯。而背散射電子作為成像信號(hào)不僅能分析形貌特征，也可以用來(lái)顯示原子序數(shù)襯度，定性地成分分析。

原子序數(shù)高的元素，背散射能力強(qiáng)。

因此不同的物質(zhì)相也具有不同的背散射能力，用背散射電子的測(cè)量亦可以大致的確定材料中物質(zhì)相態(tài)的差別。背散射電子像亦稱為成分像。

透射電子顯微鏡的成像原理可分為三種情況：

　　吸收像：當(dāng)電子射到質(zhì)量、密度大的樣品時(shí)，主要的成相作用是散射作用。樣品上質(zhì)量厚度大的地方對(duì)電子的散射角大，通過(guò)的電子較少，像的亮度較暗。早期的透射電子顯微鏡都是基于這種原理TEM透射電鏡。

　　衍射像：電子束被樣品衍射后，樣品不同位置的衍射波振幅分布對(duì)應(yīng)于樣品中晶體各部分不同的衍射能力，當(dāng)出現(xiàn)晶體缺陷時(shí)，缺陷部分的衍射能力與完整區(qū)域不同，從而使衍射缽的振幅分布不均勻，反映出晶體缺陷的分布。

　　相位像：當(dāng)樣品薄至100A以下時(shí)，電子可以穿過(guò)樣品，波的振幅變化可以忽略，成像來(lái)自于相位的變化。

????????以上就是有關(guān)SEM與TEM成像原理區(qū)別的知識(shí)了，如果有其他疑問(wèn)或者測(cè)試需求，可以網(wǎng)絡(luò)咨詢鑠思百檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)工程師。

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