簡介

本文將繼續(xù)探討如何為 PoE-bt 應(yīng)用設(shè)計(jì)有源鉗位正激控制器。在本系列文章的上篇中，我們介紹了PoE 應(yīng)用，以及正激變換器拓?fù)浜陀性淬Q位電路的基礎(chǔ)知識。本文將側(cè)重PoE-bt 應(yīng)用的副邊同步整流 MOSFET、副邊尖峰吸收電路及其效率驗(yàn)證過程。

同步整流

正激電路的副邊通常需要兩個續(xù)流二極管，用于勵磁電感和輸出電感。在大電流輸出下的續(xù)流過程中，這些二極管會導(dǎo)致相當(dāng)大的損耗。因此，常用MOSFET 晶體管代替二極管以提高效率。正激變換器的原邊主開關(guān)對應(yīng)于勵磁電感和輸出電感的續(xù)流過程。因此，副邊變壓器的開關(guān)電壓可以驅(qū)動副邊同步整流 (SR) MOSFET。

續(xù)流 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 由 SR MOSFET 的漏源電壓 (VDS) 整流。 當(dāng)勵磁電感和輸出電感電流都較低時，輸出電壓通過變壓器導(dǎo)通整流MOSFET。 然后副邊以強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式 (FCCM) 工作，這導(dǎo)致了比傳統(tǒng)二極管整流拓?fù)涓叩目蛰d損耗。

當(dāng)輸出電壓較高時，三極管穩(wěn)壓電路會保護(hù)副邊 MOSFET 的 VGS 不會過高（見圖 1）。同時，對于連接到發(fā)射極的 MOSFET 柵極，其驅(qū)動電壓跟隨晶體管基極電壓的任何變化。這樣，晶體管的集電極端子就可以從變壓器或輸出電壓中獲取電力。

MOSFET 晶體管驅(qū)動電路會導(dǎo)致額外的損耗。MOSFET晶體管驅(qū)動的鉗位電壓與輸出電壓之間的差值越大，驅(qū)動電路損耗就越大。也因此正激拓?fù)浞浅＿m合低電壓和大電流應(yīng)用。

副邊峰值吸收電路

當(dāng)副邊整流MOSFET（QR）關(guān)斷，且副邊續(xù)流MOSFET（QF）開路時，可能存在變壓器漏感。 而漏感會影響 QR 漏源電容 (CDS)，并在 VDS上疊加振鈴。高振鈴尖峰將影響正激變換器的效率。傳統(tǒng)的 RC 吸收電路可以抑制 QR上的VDS振鈴，但也會導(dǎo)致相對較大的功率損耗。

建議使用 RCD 吸收電路來降低功率損耗（見圖 8）。當(dāng) QR?啟動時，漏感能量可以通過二極管 (D) 存儲在電容器 (C) 中。當(dāng) QR?關(guān)斷時，電容器中儲存的能量可以通過電阻器 (R) 轉(zhuǎn)移到輸出電容器和負(fù)載上。電容器容值越大，振鈴幅度越?。煌瑫r，電阻器阻值越大，功率損耗和振鈴幅度也越小。

圖 9 顯示出，添加肖特基二極管 (D) 后，振鈴峰值下降了 20%。在這種情況下，電容器 (C) 可設(shè)置為 2.2nF，電阻器 (R) 可設(shè)置為 20kΩ。

效率驗(yàn)證

為了驗(yàn)證正激變換器的設(shè)計(jì)，我們比較了輸出電壓為 5V/3.3V時，在不同功率電平下的正激和反激拓?fù)?。在有源鉗位正激拓?fù)渲?，由于主開關(guān)啟動和輔助開關(guān)啟動之間有延遲時間，因此輔助開關(guān)可以實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān) (ZVS)。但要注意，ZVS 可能會因主開關(guān)而變得復(fù)雜。

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