書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：晶圓二流體清洗方法

編號：JFKJ-21-319

作者：炬豐科技

摘要

? 提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產生第一流體的彎液面?；逶诮咏^下方線性移動。還提供了單晶片清潔系統(tǒng)。

發(fā)明領域

? 本發(fā)明涉及半導體晶片15的清潔和干燥，更具體地，涉及在蝕刻或灰化操作之后更有效地從晶片表面去除殘留物的裝置和技術。

相關技術的描述

? 在半導體芯片制造工藝中，眾所周知需要清潔和干燥晶片，其中已經執(zhí)行了在晶片表面留下不需要的殘留物的制造操作。等離子蝕刻操作和灰化操作可能會在基板表面上留下不需要的殘留物。例如，在雙 25 次鑲嵌后清洗中，在這些操作之后，有機和無機殘留物都保留在基板表面上。有機殘留物可能是光刻膠的殘留物或由反應物有意產生以保護蝕刻 30 工藝期間形成的特征的側壁，而無機殘留物可能是濺射操作的殘留物或下部金屬互連層的氧化物。如果不去除，多余的殘留材料和顆?？赡軙е拢渌?，晶片表面上的缺陷和金屬化 35 特征之間的不適當相互作用在某些情況下，此類缺陷可能會導致后續(xù)金屬互連層在金屬線中產生空隙或高電阻，甚至在當前金屬層與先前金屬層之間的接觸界面處產生空隙，從而導致晶圓上的器件無法運行。??