一：《雷達組件中GaN器件可靠性影響》

二：《5G時代的射頻前端技術(shù)分析》

三：《GaN HEMT場板研究綜述》

四：《GaN超高頻諧振反激變換器》

五：《毫米波終端技術(shù)及測試方案分析》

六：《GaN器件的PFC設(shè)計》

七：《氮化鎵材料在傳感器中的應(yīng)用》

八：《Si基GaN射頻器件研究進展》

九：《射頻氮化鎵GaN技術(shù)及其應(yīng)用》

十：《氮化鎵毫米波功放技術(shù)發(fā)展》

十一：《GaN器件在高頻諧振變換器上的應(yīng)用研究》

十二：《L波段GaN寬帶高功率放大器設(shè)計》

十三：《GaN HEMT微波功率管直流和射頻加速壽命試驗》

十四：《GaN電力電子和射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈分析》

十五：《高功率放大器件在導航衛(wèi)星中的應(yīng)用和發(fā)展》

十六：《GaN功率器件的L波段1500W航管發(fā)射機設(shè)計》

十七：《GaN半導體技術(shù)的空間應(yīng)用研究與展望》

十八：《氮化鎵技術(shù)在雷達中的應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢》

十九：《硅基氮化鎵異質(zhì)結(jié)材料與多晶金剛石集成生長研究》

二十：《GaN同質(zhì)襯底的高遷移率材料研究》