半導體的認識

除了絕緣體和導體，人們還發(fā)現(xiàn)一種物質，它可以通過溫度的大小等來控制導電效果，稱為半導體。通常用硅、鍺，均為4價位的元素

半導體類型

一.本征半導體

1.無其余雜質（純凈）

2.結構穩(wěn)定（晶體結構）

3.給予升溫或光照等，有足夠的能量，由于熱運動，價電子掙脫束縛，從而成為我們的自由電子，自由電子發(fā)生改變，偏移，從而生成空的位置，而這個位置我們稱為空穴

4.本征激發(fā)；

自由電子帶負電荷

空穴帶正電荷

異性相吸，相互碰撞可能同時消失，自由電子如果填補空穴就稱為復合。

5.溫度越高，熱運動更劇烈，共價鍵電子增多，濃度加大。

6.自由電子可以運動，空穴不行，但通過電場加強，可以形成移動。

運載電荷的粒子稱為截流子。

空穴和自由電子運動相反

7.空穴的出現(xiàn)，是區(qū)別與半導體和導體的再要特征。

導體：離子鍵，只有電子導電

半導體：共價鍵，激發(fā)自由電子空穴，共同導電。

8.載流子濃度＜原子濃度

本征半導體導電較弱，不能運用到實際。

但，人們發(fā)現(xiàn)可以在本征半導體中摻入雜質，形成雜質半導體。從而增加導電能力

二.摻雜半導體

根據摻入的雜質不同，可形成：

N型半導體（負電荷）

1.摻入五價元素：五價磷（p）原子，5價＞4價的硅，多出一個自由電子，因此：自由電子＞空穴，可知N型半導體負電荷，自由電子是多數(shù)載流子，簡稱多子，空穴是少數(shù)載流子少簡稱少子。

2.主靠自由電子導電，通過摻入雜質的濃度高低，實現(xiàn)導電能力的大小。

P型半導體（正電荷）

1.加入三價元素：硼（B）

空穴數(shù)量＞自由電子數(shù)量

從而可知P型半導體帶正電荷

空穴多子，自由電子少子

2.主靠空穴導電，濃度高低決定導電能力強弱

結論：多子濃度取決于摻雜濃度。

少子濃度取決于溫度。

摻雜后，多子＞＞少子

少量摻雜，截流子增加，導電力增強

講的很細，有些地方還是看不懂

筆記部分可補充。

謝謝！