小米CC9 Pro真機(jī)正面照曝光;臺積電5nm工藝試產(chǎn)良率已達(dá)50%;三星Galaxy S11再曝
微博博主剎那數(shù)碼曝光了小米CC9 Pro的真機(jī)正面照,與之前曝光的一致,采用的是水滴屏設(shè)計。另外該機(jī)屏幕似乎采用曲面屏設(shè)計,從正面右上角及屏幕邊緣的反光都能看出其曲率不小,不出意外的應(yīng)該就是水滴屏+曲面屏的設(shè)計語言。

爆料顯示,小米CC9 Pro將搭載驍龍730G處理器,后置五攝+四閃光燈,支持5倍光學(xué)變焦及一億像素;配備6GB運行內(nèi)存,運行基于Android 9的MIUI操作系統(tǒng)。
小米創(chuàng)始人、小米集團(tuán)董事長兼CEO雷軍宣布小米CC9 Pro將于11月5日發(fā)布。
CC9 Pro量產(chǎn)并真首發(fā)一億像素,小米聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁林斌表示,CC9 Pro擁有絕對震撼的拍照體驗。
值得注意的是,本次發(fā)布會還將推出小米智能手表、小米電視5等新品,值得期待。


在7nm節(jié)點,臺積電幾乎壟斷了所有主要的芯片代工訂單,從蘋果、華為到AMD、賽靈思,無一不采用臺積電工藝。很快臺積電就要量產(chǎn)5nm工藝了,據(jù)悉風(fēng)險試產(chǎn)良率已達(dá)50%,產(chǎn)能也有望翻倍。
根據(jù)臺積電聯(lián)席CEO魏哲家此前公布的數(shù)據(jù),5nm工藝已經(jīng)完成研發(fā),目前正在風(fēng)險試產(chǎn),量產(chǎn)時間也提前到了明年Q1季度,這個時間比通常年中量產(chǎn)要提前一個季度左右,顯示出5nm工藝進(jìn)展良好。
來自供應(yīng)鏈的消息稱,5nm風(fēng)險試產(chǎn)階段的良率就達(dá)到了50%,要比以往的先進(jìn)工藝試產(chǎn)順利很多。隨著時間的推移,5nm工藝的良率會逐步提升,尤其是大規(guī)模量產(chǎn)階段。
不僅良率讓人滿意,臺積電的5nm工藝產(chǎn)能也大幅增長,最初預(yù)計只有每月4.5萬片晶圓,之后因為需求高漲,一路上漲到5萬片、7萬片,最終有可能達(dá)到每月8萬片晶圓的產(chǎn)能規(guī)模,幾乎翻倍。
5nm產(chǎn)能大漲也跟市場需求居高不下有關(guān),目前可以確定會用5nm工藝的就有蘋果、華為海思,這兩家是最早首發(fā)的,蘋果的A14、華為麒麟1000(暫定名)早在今年9月份就完成5nm流片了,進(jìn)度也是最快的。
后續(xù)AMD的Zen4處理器、高通的麒麟875、賽靈思的新一代FPGA也有望用上臺積電的5nm工藝,不過進(jìn)度要比前面兩家晚一些。
根據(jù)官方數(shù)據(jù),相較于7nm(第一代DUV),基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%,或者功耗降低30%,同樣制程的SRAM也十分優(yōu)異且面積縮減。
除此之外,今年7月份臺積電又宣布了增強(qiáng)版的N5P,也是優(yōu)化前線和后線,可在同等功耗下帶來7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低15%。
還有一點,臺積電的5nm節(jié)點還會全面使用EUV工藝,相比7nm EUV工藝只使用4層EUV光罩,5nm EUV工藝的光罩層數(shù)將提升到14-15層,對EUV工藝的利用更加充分。


XDA主編@MaxWinebach透露了關(guān)于S11的更多消息,其在Face Service應(yīng)用程序中發(fā)現(xiàn)的面部識別代碼,@MaxWinebach表示這款還未發(fā)布的手機(jī)將支持某種形式的面部識別。
相關(guān)報道指出,目前三星S11系列已經(jīng)進(jìn)入內(nèi)部測試階段,有望在明年的2月份正式和消費者見面,按照慣例,美版和國行將搭載驍龍865處理器,而韓版和歐版將會搭載Exynos 9830。
目前共有三種美版Galaxy S11型號,分別是SM-G981U、SM-G986U和SM-G988U,它們均支持5G網(wǎng)絡(luò)。
