采用自制的氧化裝置，制備了多孔氧化鋁模板和基底氧化鋁模板，對(duì)制備的模板進(jìn)行 SEM、AFM 和能譜表征，研究了電解液、度、電壓和時(shí)間等不同氧化條件對(duì)模板參數(shù)的影響。

采用CVD催化熱裂解甲烷，模板限制法在硅基底上制備了碳納米管陣列，分別采用三種實(shí)驗(yàn)方案:利用模板限制硅基底上沉積 Ni顆粒，生長(zhǎng)碳納米管陣列，直接在清潔的硅基底上粒子束濺射Ni顆粒生長(zhǎng)碳納米管陣列在硅基氧化模板孔道中交流電沉積 Ni 催化劑，生長(zhǎng)碳納米管陣列。比較了各方案的優(yōu)缺點(diǎn)，對(duì)制備的樣品進(jìn)行電鏡和拉曼光譜分析。

其他產(chǎn)品：

聚丙烯腈/聚乙烯亞胺重金屬吸附膜

聚乙烯醇/聚乙烯亞胺重金屬吸附膜

聚乙烯醇/單寧酸重金屬吸附膜

聚乙烯醇/全氟磺酸基聚合物重金屬吸附膜

聚醚砜重金屬吸附膜

磺化聚醚砜重金屬吸附膜

苯乙烯-丁二烯-苯乙烯（SBS）重金屬吸附膜

聚氨酯/沸石咪唑酸酯重金屬吸附膜

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QY小編zyl2023.5.6