NPTB00004B
NPTB00004B
GaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHz
NPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作進行了優(yōu)化的功率晶體管。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率級別為 5 W (37 dBm)，采用行業(yè)標準的表面貼裝塑料封裝。
MACOM 的 NPTB00004B 是一款 GaN 功率晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 6 GHz。它提供 5 W (~37.1 dBm) 的飽和輸出功率，具有 16 dB 的小信號增益和 63.7% 的漏極效率。該晶體管支持 CW、脈沖和線性操作。它采用行業(yè)標準 SOIC 塑料封裝，尺寸為 4.9 x 3.9 x 1.47 mm，需要 28 V 直流電源。該晶體管適用于國防通信、陸地移動無線電、航空電子設(shè)備、無線基礎(chǔ)設(shè)施、ISM 和 VHF /UHF/L/S 波段雷達應(yīng)用。
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特征
57 % 漏極效率 @ 2.5 GHz
GaN on Si HEMT D 型晶體管
可從 DC - 6 GHz 調(diào)諧
行業(yè)標準 SOIC 塑料封裝
28V 操作
符合 RoHS*
100% 射頻測試
14.8 dB 增益@2.5 GHz
28 伏操作
適用于線性和飽和應(yīng)用
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產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
NPTB00004B
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制造商
馬康
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描述
從 DC 到 6 GHz 的 5 W GaN 功率晶體管
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一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
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技術(shù)
碳化硅上的氮化鎵
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應(yīng)用行業(yè)
雷達、軍事、無線基礎(chǔ)設(shè)施
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應(yīng)用
航空電子設(shè)備、移動設(shè)備
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連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波，脈沖
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頻率
直流至 6 GHz
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力量
37 dBm (Psat)
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功率(W)
5 瓦（Psat）
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小信號增益
16分貝
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功率增益 (Gp)
12.8 至 14.8 分貝
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電源電壓
28 伏
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當前的
50毫安
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排水效率
45 至 57 %
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漏電流
1.4A
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漏極漏電流 (Id)
2毫安
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柵極漏電流 (Ig)
1毫安
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包裝類型
表面貼裝
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包裹
SOIC 塑封
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RoHS
是的
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