ID與VGS的關(guān)系，可以看到在VGS<Vth的時(shí)候，電流基本沒(méi)有，但并不是完全沒(méi)有，由于濃度梯度的存在，還是存在擴(kuò)散電流的。我們使用對(duì)數(shù)坐標(biāo)，在VGS<VTH時(shí)候，最大的電路可以達(dá)到2-3uA，所以，當(dāng)你的電流給到這個(gè)數(shù)值的時(shí)候 只要mos管的處在亞閾值就可以滿足你的要求。

使用擴(kuò)散電路的表達(dá)式，推導(dǎo)表達(dá)式。

所以，當(dāng)電流不變，而增大W的時(shí)候，gm不會(huì)一直增大，因?yàn)樽罱K會(huì)進(jìn)入到亞閾值區(qū)。

所以在管子并未開(kāi)啟的時(shí)候，就有電路的損耗