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12N65-ASEMI高壓MOS管12N65

型號：12N65

品牌：ASEMI

封裝：TO-220AB

最大漏源電流：12A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：0.68Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

12N65場效應(yīng)管

12N65的電性參數(shù)：最大漏源電流12A；漏源擊穿電壓650V