近年來，IGBT的下游應(yīng)用需求不斷增加，全球的IGBT行業(yè)增長趨勢十分顯著，國內(nèi)企業(yè)為搶占市場也在不斷提高技術(shù)能力，直接推動(dòng)了我國IGBT國產(chǎn)化的進(jìn)程，各類工藝技術(shù)不斷成熟，，對工藝設(shè)備也提出來更高的需求。

例如芯片減薄工藝的發(fā)展，對IGBT封裝工藝有更高的需求，封裝環(huán)節(jié)的好壞關(guān)系到了IGBT能否達(dá)到更高的功率密度，能否適用于更多惡劣的環(huán)境，抵抗更高的溫度。

IGBT的封裝檢測需要以中心為基準(zhǔn)，測量各點(diǎn)位置、高差、尺寸等，通過氣推式HSS10P位移傳感器能夠進(jìn)行多點(diǎn)測量。

整套IGBT封裝檢測設(shè)備包含HSS10P位移傳感器、HDB24多通道采集器、標(biāo)準(zhǔn)件、基座（含NUC、顯示器等）、固定件、IO模塊、氣路模塊、自動(dòng)測量軟件。

檢測流程：

1.放置標(biāo)準(zhǔn)件，氣動(dòng)夾緊；

2.測頭伸出，測量標(biāo)準(zhǔn)件，傳感器數(shù)據(jù)清零；

3.測頭縮回，取走標(biāo)準(zhǔn)件；

4.放置被測件，氣動(dòng)夾緊；

5.測頭伸出，測量被測件，得到各傳感器數(shù)據(jù)X1,X2,...X21;

6.以0號點(diǎn)為原點(diǎn)，軟件自動(dòng)計(jì)算其他各點(diǎn)Z值。

HSS10P位移傳感器最高精度分辨率最小能夠達(dá)到0.1μm，重復(fù)精度在0.5μm以內(nèi)，能夠?qū)崿F(xiàn)微米級別的高精度測量，量程最高10mm，適用于-10~80℃的工作環(huán)境，在原理、結(jié)構(gòu)、材料、工藝等方面進(jìn)行了更加精細(xì)化設(shè)計(jì)與創(chuàng)新，保證了傳感器優(yōu)良的性能。