?等離子體蝕刻機(jī)蝕刻可分為兩個(gè)過程：首先，等離子體中的化學(xué)活性組分，這些活性組分與固體材料物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性化合物，并向表面擴(kuò)散、排出。以CF4為例，其離解物F與S反應(yīng)生成SiF4氣體，在含Si材料的表面形成微銑削結(jié)構(gòu)。等離子體蝕刻是指離子蝕刻、濺射蝕刻和等離子體灰化等過程。

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等離子體蝕刻機(jī)改性的深度取決于基底溫度、處理時(shí)間和材料擴(kuò)散特性，而改性的類型取決于基底和工藝參數(shù)。等離子體只能在表面蝕刻幾個(gè)微米深，其表面性質(zhì)發(fā)生了變化，但大多數(shù)材料的表面性質(zhì)仍然可以保持。該技術(shù)還可用于表面清洗、固化、粗化、改變親水性和粘附性等，同樣也可用于半導(dǎo)體集成電路的制造過程中，可以在電子顯微鏡下觀察到樣品變薄?；瘜W(xué)反應(yīng)可以通過化學(xué)濺射產(chǎn)生揮發(fā)性產(chǎn)物。常見氣體包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機(jī)蒸氣等。惰性離子型濺射比具有化學(xué)反應(yīng)的等離子體濺射更接近物理過程。

? ? ? ? 等離子體F蝕刻Si在半導(dǎo)體設(shè)備制造中得到廣泛應(yīng)用，以下是蝕刻反應(yīng)的三個(gè)步驟：

? ? ? ? 化學(xué)吸附：F2→F2（ads）→2F（ads）

? ? ? ? 反應(yīng)：Si+4F（ads）→SiF4（ads）

? ? ? ? 解吸：SiF4（ads）→SiF4（gas）

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在蝕刻工藝中，高密度等離子體源具有許多優(yōu)點(diǎn)，可以更準(zhǔn)確地控制工件尺寸，蝕刻率更高，材料選擇性更好。高密的等離子體源能在低電壓下工作，因而能減弱鞘層的振蕩。在晶片的蝕刻過程中，采用高密度的等離子源蝕刻技術(shù)，需要利用獨(dú)立的射頻源對(duì)晶圓進(jìn)行偏壓，使能量和離子相互獨(dú)立。由于離子的能量一般在幾個(gè)電子伏特量級(jí)，所以當(dāng)離子進(jìn)入負(fù)鞘層后，通過能量加速會(huì)達(dá)到上百電子伏特，并且具有很高的指向性，從而使離子蝕刻具有各向異性。