關(guān)于溴化鉻晶體，拓?fù)浣^緣體Bi2Se3 硒化鉍晶體的CVD方法生長過程

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化學(xué)氣相沉積法（CVD)：

化學(xué)氣相沉積法是指利用高溫物理蒸發(fā)或反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后通過氣體傳輸過程使生成物質(zhì)沉積在加熱的基底表面，進(jìn)而制得材料的工藝技術(shù)。

圖2-1是利用CVD方法在基底上生長 Bi2Se3的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。打開爐蓋，將長120cm、外徑6cm的石英管至于爐內(nèi)，其主要的實(shí)驗(yàn)步驟如下:

(1）先把蒸發(fā)源粉末放在石英舟的前端，襯底放在距離蒸發(fā)源適當(dāng)?shù)奈恢茫缓髮⑹⒅弁迫胧⒐?，使蒸發(fā)源正好處于中心加熱區(qū)，最后密封好管口，關(guān)閉爐蓋;

(2)打開機(jī)械泵抽真空，待真空度達(dá)到10Pa左右時(shí)，通入10分鐘載運(yùn)氣體以排出石英管內(nèi)殘余空氣，載運(yùn)氣體在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程中一直通入;

(3）打開試管爐開始加熱，待溫度達(dá)到設(shè)定的生長溫度時(shí)，控制生長時(shí)間;

(4）關(guān)閉試管爐加熱開關(guān)，自然冷卻至室溫，后關(guān)閉氣體，將樣品取出。

Bi2Se3擁有與MoS和石墨烯等層狀材料相似的層狀結(jié)構(gòu)，層間隙遠(yuǎn)大于鋰離子直徑（0.152 nm)，因此具有良好的鋰離子存儲(chǔ)性能。自組裝Bi2Se3球狀結(jié)構(gòu)具有很高的孔隙率，孔洞間隙可以存儲(chǔ)大量鋰離子，進(jìn)一步提高了鋰離子的存儲(chǔ)效率。與很多合金類材料相似，Bi2Se3作為鋰離子電池負(fù)極材料，經(jīng)過數(shù)次充放電循環(huán)后易出現(xiàn)結(jié)構(gòu)膨脹，坍塌，減少鋰離子存儲(chǔ)空間。

Coumarin標(biāo)記牛血清白蛋白

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