隨著12代酷睿的發(fā)布，DDR5內(nèi)存正式登上了舞臺(tái)，AMD新一代AM5平臺(tái)也會(huì)支持DDR5內(nèi)存，內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候到了。

作為全新一代內(nèi)存，DDR5相比上代內(nèi)存的主要差異在于采用全新的內(nèi)存模組架構(gòu)，在容量、頻率、穩(wěn)定性、節(jié)能上均都有著巨大的提升。容量變大，DDR5的最大UDIMM容量可以達(dá)到128GB，而DDR4則為32GB；DDR5的電壓也從DDR4的1.2V下降至1.1V，降低了功耗；頻率3200/4800起步，最高頻率可超10000MHZ；DDR5產(chǎn)品的速率至少將達(dá)4.8Gbps，最高速率可達(dá)6.4Gbps，是DDR4最高速率的兩倍。

DDR5 與 DDR4 相比可以說(shuō)是一次性能上的飛躍，DDR5是為了滿足高效率、高性能的多種需求而設(shè)計(jì)的，不僅包括客戶端系統(tǒng)以及高性能服務(wù)器，還為未來(lái)的數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。

1.DRAM：DDR5 DRAM與DDR4 DRAM相比，顆粒大小基本一致，芯片針腳設(shè)計(jì)不同。DDR5 DRAM擁有更高的工作頻率，以及更高的存儲(chǔ)密度，單Die容量更大。

2.通道帶寬：DDR5擁有2通道DIMM，單Die擁有8個(gè)Groups，每個(gè)Groups 4個(gè)bank，32個(gè)bank（無(wú)獨(dú)立RECC），帶來(lái)更大的帶寬。

?3.突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Lengths,簡(jiǎn)稱BL)：同一行中相鄰的存儲(chǔ)單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?連續(xù)傳輸所涉及到存儲(chǔ)單元(列)的數(shù)量就是突發(fā)長(zhǎng)度。早期的DDR、DDR2突發(fā)長(zhǎng)度為4,DDR3 、DDR4為 8，DDR5 的BL增加到了 16。

4.金手指：DDR5金手指仍為288個(gè)針腳，為了適應(yīng)雙通道設(shè)計(jì)，DDR5的針腳布局和DDR4有所不同。

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5.On-DIMM PMIC：DDR5擁有一個(gè)PMIC芯片。相對(duì)于上代內(nèi)存，電壓調(diào)節(jié)從主板轉(zhuǎn)移到單個(gè)DIMM上，讓DIMM負(fù)責(zé)自己的電壓調(diào)節(jié)需求。這降低了電路板的復(fù)雜性，同時(shí)也增加了供電的穩(wěn)定、效能。

On-Die ECC:DDR5 擁有On die ?ECC(芯片集成ECC）。主要用來(lái)提高先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的良率，從而降低 DRAM 芯片成本。On die ?ECC檢測(cè)在刷新期間發(fā)生在cell或Row的錯(cuò)誤。和獨(dú)立芯片RECC不同，當(dāng)數(shù)據(jù)從cell移動(dòng)到緩存或 CPU 時(shí)，如果有位翻轉(zhuǎn)或數(shù)據(jù)損壞，它不會(huì)被On die ?ECC 糾正。

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DDR5初上市時(shí)期，作為新產(chǎn)品價(jià)格自然相對(duì)較高，這些原因也導(dǎo)致了如今不少用戶依舊不太愿意更換。經(jīng)過(guò)將近一年的發(fā)展，DDR5內(nèi)存的價(jià)格慢慢回歸到正常水平。相較于早期動(dòng)輒千元且缺貨的狀態(tài)，目前DDR4和DDR5的價(jià)格差距正在逐步縮小，這在一定程度上加快DDR5普及。只支持DDR5內(nèi)存的7000系銳龍也即將發(fā)布， DDR5 內(nèi)存會(huì)成為高性能電腦的主流配置，如果想要追求更極致的性能體驗(yàn)，想玩內(nèi)存超頻，光威天策高頻DDR5內(nèi)存不失為更明智的選擇。