第四章 存儲器

4.2主存儲器

4.2.4只讀存儲器

ROM——

1. 原始定義：一旦注入原始信息即不能改變，但隨著用戶的需要，總希望能任意修改ROM內(nèi)的原始信息——

   發(fā)展：出現(xiàn)了PROM、EPROM和EEPROM等；

2. 基本器件：

1. MOS型

2. TTL型

a.掩模ROM

MOS型掩模ROM：

1. 描述：容量為1K*1位，采用重合法驅(qū)動，行、列地址線分別經(jīng)行、列譯碼器，各有32根行、列選擇線——

   行選擇線與列選擇線交叉處既可有耦合元件MOS管，也可沒有；

   列選擇線各控制一個列控制管，32個列控制管的輸出端共連一個讀放大器；

   當(dāng)?shù)刂窞槿?”時，第0行、第0列被選中，若其交叉處有耦合元件MOS管，因其導(dǎo)通而使列線輸出為地電平，經(jīng)讀放大器反相為高電平，輸出“1”；

2. 特點：ROM制成后不可能改變原行、列交叉處的MOS管是否存在，所以，用戶是無法改變原始狀態(tài)的。

b.PROM

定義：可以實現(xiàn)一次性編程的只讀存儲器。

雙極型電路和熔絲構(gòu)成的基本單元電路：

1. 描述：基極由行線控制，發(fā)射極與列線之間形成一條鎳鉻合金薄膜制成的熔絲（可用光刻技術(shù)實現(xiàn)），集電極接電源Vcc，熔絲斷和未斷可區(qū)別其所存信息是“1”或“0”、

2. 原理：用戶在使用前，可按需要將信息存入行、列交叉的耦合元件內(nèi)，若欲存“0”，則置耦合元件一大電流，將熔絲燒掉，若欲存“1”，則耦合處不置大電流，熔絲不斷，當(dāng)被選中時，熔絲斷掉處將讀出“0”，熔絲未斷處將讀出“1”；

3. 特點：已斷的熔絲是無法再恢復(fù)的，故這種ROM往往只能實現(xiàn)一次編程，不得再修改。