前不久Intel宣布即將舉行一次重要會議，今天凌晨這個會議正式召開，介紹了Intel在芯片工藝及封裝上的進展，其中一個重要內(nèi)容就是全新的CPU工藝路線圖，而且Intel真的改名了，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A

Intel是堅定的摩爾定律捍衛(wèi)者，盡管每代工藝的技術(shù)指標是最強的，但在進度上確實已經(jīng)落后于臺積電、三星，現(xiàn)在量產(chǎn)了10nm工藝，臺積電已經(jīng)是第二代5nm工藝了，明年還有3nm工藝。

工藝命名上始終落后對手，對Intel來說宣傳很不利，早前網(wǎng)友調(diào)侃說Intel應(yīng)該把10nm改成7nm，畢竟他們的晶體管指標確實達到甚至超過了臺積電7nm的水平，沒想到這個調(diào)侃成真，Intel這次真的改名了，但改的方式也有點獨特。

此前的10nm Enhanced SuperFin工藝改為Intel 7——對，沒有7nm字樣，官方就叫做Intel 7，你當7nm也行，但Intel沒明確說是7nm，這次就是改了，但又沒改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工藝，Intel 7工藝的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介紹性能提升的方式也變了，說的是每瓦性能），首先應(yīng)用于今年底的Alder Lake，數(shù)據(jù)中心處理器Sapphire Rapids則會在明年用上Intel 7工藝。

Intel原先的7nm工藝則會改名為Intel 4，這會是Intel首個應(yīng)用EUV光刻工藝的FinFET工藝，每瓦性能提升20%，2022年下半年開始生產(chǎn)，2023年產(chǎn)品出貨，就是之前的7nm Meteor Lake處理器。

Intel 4工藝之后是Intel 3工藝，是最后一代FinFET工藝，每瓦性能提升18%，2023年下半年開始生產(chǎn)。

再往后Intel也會放棄FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)向GAA晶體管，新工藝名為Intel 20A，會升級到兩大突破性技術(shù)——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel獨創(chuàng)的供電技術(shù)，后者是GAA晶體管的Intel技術(shù)實現(xiàn)，預計2024年問世。

2025年及之后的工藝還在開發(fā)中，命名為Intel 18A，會繼續(xù)改進RibbonFET工藝，同時會用上ASML下一代的高NA EUV光刻機，量產(chǎn)時間不定。